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FDD603AL

更新时间： 2024-11-20 22:40:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 237K
描述
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

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FDD603AL 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.88Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：100 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：33 A最大漏极电流 (ID)：33 A
最大漏源导通电阻：0.023 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：39 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDD603AL 数据手册

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July 1999  
FDD603AL  
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
This N-Channel logic level enhancement mode power  
field effect transistor is produced using Fairchild’s  
proprietary, high cell density, DMOS technology. This  
very high density process is tailored to minimize on-  
state resistance. These devices are particularly suited  
for low voltage applications such as DC/DC converters  
and high efficiency switching circuits where fast  
switching, low in-line power loss, and resistance to  
transients are needed.  
• 33 A, 30 V. RDS(ON) = 0.023 Ω @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 0.037 Ω @ VGS = 4.5 V.  
• Critical DC electrical parameters specified at elevated  
temperature.  
• Rugged avalanche-rated internal source-drain diode  
can eliminate the need for external Zener Diode.  
Applications  
• High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
• DC/DC converters  
• Motor drives  
D
D
G
G
S
S
TO-252  
TC=25oC unless otherwise noted  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
V
30  
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
V
A
±20  
Maximum Drain Current - Continuous  
(Note 1)  
33  
9.5  
TA = 25°C  
(Note 1a)  
Maximum Drain Current -Pulsed  
Maximum Power Dissipation @ TC = 25oC  
TA = 25oC  
80  
39  
PD  
(Note 1)  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
W
3.2  
TA = 25oC  
1.3  
TJ, Tstg  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1)  
2.5  
40  
96  
RθJC  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
RθJA  
(Note 1b)  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
FDD603AL  
FDD603AL  
13’’  
16mm  
2500  
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDD603AL, Rev. B  
12345678

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