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CSD19505KTTT

更新时间： 2024-09-22 11:10:59
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI /
页数 文件大小 规格书
14页 632K
描述
采用 D2PAK 封装的单路、3.1mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | KTT | 3 | -55 to 175

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CSD19505KTTT 数据手册

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CSD19505KTT  
ZHCSF04 –MARCH 2016  
CSD19505KTT 80V N 沟道 NexFET™功率金属氧化物半导体场效应晶体  
管 (MOSFET)  
1 特性  
产品概要  
1
•
•
•
•
•
•
•
超低 Qg 和 Qgd  
低热阻  
TA=25°C  
VDS  
典型值  
80  
单位  
V
漏源电压  
雪崩级  
Qg  
栅极电荷总量 (10V)  
栅极电荷 栅极到漏极  
76  
nC  
nC  
mΩ  
mΩ  
V
无铅引脚镀层  
符合 RoHS 环保标准  
无卤素  
Qgd  
11  
VGS = 6V  
VGS = 10V  
2.6  
2.9  
2.6  
RDS(on) 漏源导通电阻  
VGS(th) 阈值电压  
D2PAK 塑料封装  
器件信息(1)  
2 应用  
器件  
数量 包装介质  
封装  
运输  
•
•
次级侧同步整流器  
电机控制  
CSD19505KTT  
CSD19505KTTT  
500  
13 英寸卷  
带
卷带封  
装
D2PAK 塑料封装  
50  
(1) 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。  
3 说明  
这款 80V、2.6mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET™功率  
绝对最大额定值  
TA = 25°C  
值
80  
单位  
V
MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。  
VDS  
VGS  
漏源电压  
空白  
栅源电压  
±20  
200  
V
5rain (ꢀin 2)  
持续漏极电流（受封装限制）  
A
持续漏极电流（受芯片限制），TC = 25°C  
时测得  
212  
150  
A
A
ID  
持续漏极电流（受芯片限制），TC = 100°C  
时测得  
IDM  
PD  
脉冲漏极电流(1)  
400  
300  
A
Date  
功率耗散  
W
(ꢀin 1)  
TJ， 工作结温，  
-55 至 175  
°C  
Tstg  
储存温度  
雪崩能量，单一脉冲  
ID = 101A，L = 0.1mH，RG = 25Ω  
EAS  
510  
mJ  
{ource (ꢀin 3)  
(1) 最大 RθJC = 0.5°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤  
1%。  
RDS(on) 与 VGS 间的关系  
栅极电荷  
10  
10  
ID = 100 A  
VDS = 40 V  
TC = 25°C, I D = 100 A  
TC = 125°C, I D = 100 A  
9
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
20  
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
80  
VGS - Gate-to-Source Voltage (V)  
Qg - Gate Charge (nC)  
D004  
D007  
1
An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,  
intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.  
English Data Sheet: SLPS587  
 
 
 
 
 
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CSD19505KTTT 替代型号

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