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CSD19537Q3T

更新时间： 2024-09-22 11:11:43
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 局域网开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 1225K
描述
采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | DQG | 8 | -55 to 150

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CSD19537Q3T 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：VSON-8
Reach Compliance Code：not_compliantFactory Lead Time：6 weeks
风险等级：1.66Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：55 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：9.7 A
最大漏源导通电阻：0.0166 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：17.3 pFJESD-30 代码：S-PDSO-N8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：219 A
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

CSD19537Q3T 数据手册

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CSD19537Q3  
ZHCSE28B –AUGUST 2015 –REVISED NOVEMBER 2022  
CSD19537Q3 100V N 通道NexFET™ 功率MOSFET  
产品概要  
1 特性  
TA = 25°C  
VDS  
典型值  
100  
单位  
V
漏源电压  
• 超低Qg 和Qgd  
• 低热阻  
Qg  
16  
nC  
栅极电荷总量(10V)  
Qgd  
2.9  
nC  
• 雪崩级  
• 无铅端子镀层  
• 符合RoHS  
• 无卤素  
栅极电荷（栅极到漏极）  
漏源导通电阻  
VGS = 6V  
VGS = 10V  
13.8  
12.1  
mΩ  
mΩ  
V
RDS(on)  
VGS(th)  
3
阈值电压  
• 小外形尺寸无引线(SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封  
装
.
订购信息(1)  
数量  
2 应用  
器件  
介质  
封装  
配送  
SON 3.3mm x  
3.3mm  
塑料封装  
CSD19537Q3  
2500  
250  
13 英寸卷带  
• 一次侧隔离式转换器  
• 电机控制  
卷带包装  
CSD19537Q3T  
13 英寸卷带  
3 说明  
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附  
录。  
这款 100V 12.1mΩ SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™  
功率 MOSFET 旨在用于更大限度地降低功率转换应用  
中的损耗。  
绝对最大额定值  
TA = 25°C  
值
单位  
V
VDS  
VGS  
100  
±20  
漏源电压  
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
V
栅源电压  
50  
53  
A
A
持续漏极电流（受封装限制）  
持续漏极电流（受芯片限制），TC = 25°C 时  
测得  
ID  
持续漏极电流(1)  
脉冲漏极电流(2)  
功耗(1)  
9.7  
219  
2.8  
83  
A
A
IDM  
PD  
D
D
W
W
P0095-01  
功率耗散，TC = 25°C  
TJ、 工作结温，  
–55 至  
150  
图3-1.  
顶视图  
°C  
Tstg  
贮存温度  
雪崩能量，单脉冲  
ID = 33A，L = 0.1mH，RG = 25Ω  
EAS  
55  
mJ  
(1)  
R
θJA = 45°C/W，这是在0.06 英寸厚FR4 PCB 上的1 平方英  
寸、2oz 铜焊盘上测得的典型值。  
(2) 最大RθJC = 1.5°C/W，脉冲持续时间≤100μs，占空比≤  
1%.  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
10  
TC = 25° C, ID = 10 A  
TC = 125° C, ID = 10 A  
ID = 10 A  
VDS = 50 V  
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
VGS - Gate-To-Source Voltage (V)  
16  
18  
20  
0
2
4
6
8
10  
Qg - Gate Charge (nC)  
12  
14  
16  
D007  
D004  
R
DS(on) 与VGS 之间的关系  
栅极电荷  
本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问  
www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。  
English Data Sheet: SLPS549  
 
 
 
 
 
 
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CSD19537Q3T 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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