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CSD19537Q3T

更新时间： 2024-11-30 11:11:43

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		局域网开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	1225K
描述
采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET \| DQG \| 8 \| -55 to 150

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CSD19537Q3T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	VSON-8
Reach Compliance Code：	not_compliant	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	1.66	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	55 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	9.7 A
最大漏源导通电阻：	0.0166 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	17.3 pF	JESD-30 代码：	S-PDSO-N8
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	5
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	219 A
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

CSD19537Q3T 数据手册

CSD19537Q3

ZHCSE28B –AUGUST 2015 –REVISED NOVEMBER 2022

CSD19537Q3 100V N 通道NexFET™ 功率MOSFET

产品概要

1 特性

T_A= 25°C

V_DS

典型值

100

单位

漏源电压

• 超低Q_g和Q_gd

• 低热阻

Q_g

栅极电荷总量(10V)

Q_gd

2.9

• 雪崩级

• 无铅端子镀层

• 符合RoHS

• 无卤素

栅极电荷（栅极到漏极）

漏源导通电阻

V_GS= 6V

V_GS= 10V

13.8

12.1

mΩ

R_DS(on)

V_GS(th)

阈值电压

• 小外形尺寸无引线(SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封

装

订购信息⁽¹⁾

数量

2 应用

器件

介质

封装

配送

SON 3.3mm x

3.3mm

塑料封装

CSD19537Q3

2500

250

13 英寸卷带

• 一次侧隔离式转换器

• 电机控制

卷带包装

CSD19537Q3T

13 英寸卷带

3 说明

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附

录。

这款 100V 12.1mΩ SON 3.3mm × 3.3mm NexFET^™

功率 MOSFET 旨在用于更大限度地降低功率转换应用

中的损耗。

绝对最大额定值

T_A= 25°C

值

单位

V_DS

V_GS

100

±20

漏源电压

栅源电压

持续漏极电流（受封装限制）

持续漏极电流（受芯片限制），T_C= 25°C 时

测得

I_D

持续漏极电流⁽¹⁾

脉冲漏极电流⁽²⁾

功耗⁽¹⁾

9.7

219

2.8

I_DM

P_D

P0095-01

功率耗散，T_C= 25°C

T_J、工作结温，

–55 至

150

图3-1.

顶视图

°C

T_stg

贮存温度

雪崩能量，单脉冲

I_D= 33A，L = 0.1mH，R_G= 25Ω

E_AS

(1)

_θJA= 45°C/W，这是在0.06 英寸厚FR4 PCB 上的1 平方英

寸、2oz 铜焊盘上测得的典型值。

(2) 最大R_θJC= 1.5°C/W，脉冲持续时间≤100μs，占空比≤

1%.

T_C= 25° C, I_D= 10 A

T_C= 125° C, I_D= 10 A

I_D= 10 A

V_DS= 50 V

V_GS- Gate-To-Source Voltage (V)

Q_g- Gate Charge (nC)

D007

D004

_DS(on)与V_GS之间的关系

栅极电荷

本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问

www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SLPS549

12 3 4 5 6 7...13

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CSD19537Q3T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CSD19537Q3	TI	功能相似	采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.5mΩ、100V、N 沟道 NexFE

与CSD19537Q3T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CSD19538Q2	TI	获取价格	采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、59mΩ、100V、N 沟道 NexFET™
CSD19538Q2T	TI	获取价格	采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、59mΩ、100V、N 沟道 NexFET™
CSD19538Q3A	TI	获取价格	采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、61mΩ、100V、N 沟道 NexFET™
CSD19538Q3AT	TI	获取价格	采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、61mΩ、100V、N 沟道 NexFET™
CSD200	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 700V V(BR)CEO \| 2.5A I(C) \| TO-3
CSD20030	ETC	获取价格	ZERO RECOVERY RECTIFIER
CSD20030D	CREE	获取价格	Zero Recovery㈢ Rectifiers
CSD20060	ETC	获取价格	ZERO RECOVERY RECTIFIER
CSD20060D	CREE	获取价格	Zero Recovery㈢ Rectifiers
CSD20120	ETC	获取价格	RECTIFIER

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