型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
CSD19532Q5B | TI |
类似代替 |
100 V N-Channel NexFET⢠Power MOSFET | |
CSD19533Q5A | TI |
功能相似 |
100 V N-Channel NexFET Power MOSFETs | |
CSD19531Q5A | TI |
功能相似 |
100V N-Channel NexFET Power MOSFETs |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CSD19537Q3T | TI |
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采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.5mΩ、100V、N 沟道 NexFE | |
CSD19538Q2 | TI |
获取价格 |
采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、59mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ | |
CSD19538Q2T | TI |
获取价格 |
采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、59mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ | |
CSD19538Q3A | TI |
获取价格 |
采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、61mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ | |
CSD19538Q3AT | TI |
获取价格 |
采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、61mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ | |
CSD200 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 700V V(BR)CEO | 2.5A I(C) | TO-3 | |
CSD20030 | ETC |
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ZERO RECOVERY RECTIFIER | |
CSD20030D | CREE |
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Zero Recovery㈢ Rectifiers | |
CSD20060 | ETC |
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ZERO RECOVERY RECTIFIER | |
CSD20060D | CREE |
获取价格 |
Zero Recovery㈢ Rectifiers |