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CSD19538Q2

更新时间： 2024-11-29 11:14:23

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		局域网开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
15页	703K
描述
采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、59mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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CSD19538Q2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	1.66
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	8 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	4.6 A
最大漏源导通电阻：	0.072 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	16.4 pF	JESD-30 代码：	S-PDSO-N6
JESD-609代码：	e4	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	34.4 A
表面贴装：	YES	端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

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CSD19538Q2

ZHCSF65A –JULY 2016–REVISED JANUARY 2017

CSD19538Q2 100V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

1 特性

产品概要

•

超低 Q_g和 Q_gd

T_A=25°C

V_DS

典型值

单位

低热阻

漏源电压

100

4.3

0.8

雪崩额定值

Q_g

栅极电荷总量 (10V)

栅极电荷（栅极到漏极）

无铅

Q_gd

V_GS= 6V

V_GS= 10V

3.2

符合 RoHS 标准

R_DS(on)漏源导通电阻

V_GS(th)阈值电压

mΩ

无卤素

小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 塑料封装

器件信息⁽¹⁾

2 应用

器件

数量

包装介质

封装

运输

•

以太网供电 (PoE)

CSD19538Q2 3000

CSD19538Q2T 250

SON

2.00mm x 2.00mm

塑料封装

卷带

封装

7 英寸卷带

电源设备 (PSE)

电机控制

(1) 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。

3 说明

绝对最大额定值

这款 100V、49mΩ、采用 2mm × 2mm SON 封装的

NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中

大大降低损耗。

T_A= 25°C

值

单位

V_DS

V_GS

漏源电压

100

±20

14.4

栅源电压

持续漏极电流（受封装限制）

顶视图

持续漏极电流（受芯片限制），T_C= 25°C 时

测得

I_D

13.1

持续漏极电流⁽¹⁾

脉冲漏极电流⁽²⁾

功率耗散⁽¹⁾

4.6

34.4

2.5

I_DM

P_D

功率耗散，T_C= 25°C

20.2

T_J，工作结温，

-55 至 150

°C

T_stg

储存温度

雪崩能量，单脉冲

I_D= 12.6A，L = 0.1mH，R_G= 25Ω

E_AS

(1) R_θJA= 50°C/W，这是在一块厚度为 0.06 英寸环氧树脂 (FR4)

印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸²，2 盎司铜焊盘上测得的典型

值。

P0108-01

(2) 最大 R_θJC= 6.2°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。

An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,

intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.

English Data Sheet: SLPS582

12 3 4 5 6 7...15

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CSD19538Q2 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CSD19537Q3	TI	功能相似	采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.5mΩ、100V、N 沟道 NexFE
CSD19538Q3A	TI	功能相似	采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、61mΩ、100V、N 沟道 NexFET™

与CSD19538Q2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CSD19538Q2T	TI	获取价格	采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、59mΩ、100V、N 沟道 NexFET™
CSD19538Q3A	TI	获取价格	采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、61mΩ、100V、N 沟道 NexFET™
CSD19538Q3AT	TI	获取价格	采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、61mΩ、100V、N 沟道 NexFET™
CSD200	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 700V V(BR)CEO \| 2.5A I(C) \| TO-3
CSD20030	ETC	获取价格	ZERO RECOVERY RECTIFIER
CSD20030D	CREE	获取价格	Zero Recovery㈢ Rectifiers
CSD20060	ETC	获取价格	ZERO RECOVERY RECTIFIER
CSD20060D	CREE	获取价格	Zero Recovery㈢ Rectifiers
CSD20120	ETC	获取价格	RECTIFIER
CSD20120D	ETC	获取价格	RECTIFIER

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