5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > CSD22205L
CSD22205L PDF预览

CSD22205L

更新时间： 2024-01-02 01:22:28
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 栅开关脉冲晶体管栅极
页数 文件大小 规格书
14页 1909K
描述
采用 1.2mm x 1.2mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、9.9mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

阅读下载

获取价格

CSD22205L 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：LGA, 4 PIN
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：16 weeks风险等级：1.7
Samacsys Description：-8V, P ch NexFET MOSFET?, single LGA 1.2x1.2, 9.9mOhm配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压：8 V最大漏极电流 (ID)：7.4 A
最大漏源导通电阻：0.04 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：250 pFJESD-30 代码：S-PBGA-B4
JESD-609代码：e1湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：71 A表面贴装：YES
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：BUTT
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

CSD22205L 数据手册

 浏览型号CSD22205L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CSD22205L的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CSD22205L的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CSD22205L的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CSD22205L的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CSD22205L的Datasheet PDF文件第7页 
CSD22205L  
ZHCSGI4B –AUGUST 2017 –REVISED FEBRUARY 2022  
CSD22205L –8V P 沟道NexFET™ 功率MOSFET  
产品概要  
1 特性  
TA = 25°C  
值
–8  
6.5  
1.0  
单位  
VDS  
V
漏源电压  
栅极电荷总量(–4.5V)  
• 低电阻  
• 1.2mm × 1.2mm 小尺寸封装  
• 0.36mm 厚，超薄型  
• 无铅  
• 栅源电压钳位  
• 栅极ESD 保护  
• 符合RoHS  
Qg  
nC  
nC  
Qgd  
栅极电荷（栅极到漏极）  
30  
20  
VGS = –1.5V  
VGS = –1.8V  
VGS = –2.5V  
VGS = –4.5V  
–0.7  
RDS(on)  
mΩ  
漏源导通电阻  
11.5  
8.2  
• 无卤素  
VGS(th)  
V
阈值电压  
2 应用  
器件信息(1)  
介质  
• 电池管理  
• 负载开关  
• 电池保护  
器件  
数量  
封装  
配送  
CSD22205L  
CSD22205LT  
3000  
1.20mm × 1.20mm  
基板栅格阵列  
封装  
7 英寸卷带  
卷带包装  
250  
3 说明  
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附  
录。  
这款 -8V、8.2mΩ、1.2mm × 1.2mm 基板栅格阵列  
(LGA) NexFET™ 器件设计用于在超薄且具有出色散热  
特性的超小外形尺寸封装内提供更低的导通电阻和栅极  
电荷。基板栅格阵列 (LGA) 封装是一种带有金属接触  
板（而非焊球）的器件芯片级封装。  
绝对最大额定值  
TA = 25°C  
VDS  
值
–8  
单位  
V
漏源电压  
VGS  
ID  
V
A
–6  
栅源电压  
40  
持续漏极电流(1)  
脉冲漏极电流(2)  
功率耗散(1)  
–7.4  
–71  
0.6  
TC = 25°C, ID = -1 A  
TC = 125°C, ID = -1 A  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
IDM  
A
PD  
W
TJ、  
Tstg  
工作结温，  
贮存温度  
–55 至  
150  
°C  
(1)  
RθJA = 225°C/W（覆铜面积最小时的值）。  
(2) 脉宽≤100μs，占空比≤1%。  
Source  
0
0
1
2
3
4
-VGS - Gate-to-Source Voltage (V)  
5
6
G
D007  
1.2 mm  
R
DS(on) 与VGS 之间的关系  
S
D
Gate  
D
4.5  
4
ID = -1 A  
VDS = -4 V  
Drain  
3.5  
3
1.2 mm.  
2.5  
2
图3-1. 顶视图和电路配置  
1.5  
1
0.5  
0
0
1
2
3
4
Qg - Gate Charge (nC)  
5
6
7
D004  
R
DS(on) 与VGS 之间的关系  
本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问  
www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。  
English Data Sheet: SLPS690  
 
 
 
 
 
 
 
1234567...14

下载PDF

与CSD22205L相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
CSD22205LT TI 采用 1.2mm x 1.2mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、9.9mΩ、

获取价格
CSD22206W TI 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、5.7mΩ、

获取价格
CSD22206WT TI 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、5.7mΩ、

获取价格
CSD23201W10 TI P-Channel NexFET™ Power MOSFET

获取价格
CSD23201W10_16 TI P-Channel NexFET Power MOSFET

获取价格
CSD23202W10 TI 采用 1mm x 1mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、53mΩ、-12V、

获取价格

与CSD22205L相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证