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CSD19538Q3AT

更新时间： 2024-11-29 11:09:31

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		局域网开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	581K
描述
采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、61mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET \| DNH \| 8 \| -55 to 150

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CSD19538Q3AT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	1.65	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	8.1 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	4.9 A	最大漏源导通电阻：	0.072 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	16.4 pF
JESD-30 代码：	R-PDSO-F8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	37 A
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

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CSD19538Q3A

ZHCSF23A –MAY 2016–REVISED MARCH 2017

CSD19538Q3A 100V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

1 特性

产品概要

•

超低 Q_g和 Q_gd

T_A=25°C

V_DS

典型值

单位

低热阻

漏源电压

100

4.3

0.8

雪崩额定值

无铅

Q_g

栅极电荷总量 (10V)

栅极电荷栅极到漏极

Q_gd

V_GS= 6V

V_GS= 10V

3.2

符合 RoHS 标准

无卤素

R_DS(on)漏源导通电阻

V_GS(th)阈值电压

mΩ

小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封

装

器件信息⁽¹⁾

器件

包装介质

数量

封装

运输

2 应用范围

CSD19538Q3A

CSD19538Q3AT

13 英寸卷带

7 英寸卷带

3000

小外形尺寸无引线

(SON)

3.30mm × 3.30mm

塑料封装

卷带封

装

•

以太网供电 (PoE)

电源设备 (PSE)

电机控制

250

(1) 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。

3 说明

绝对最大额定值

T_A=25°C

值

100

±20

单位

这款 100V、49mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET

™功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 旨

在以最大限度降低导通损耗并减小以太网供电 (PoE)

应用中的电路板尺寸。

V_DS

V_GS

漏源电压

栅源电压

持续漏极电流（受封装限制）

持续漏极电流（受芯片限制），T_C= 25°C 时

测得

I_D

俯视图

持续漏极电流⁽¹⁾

脉冲漏极电流⁽²⁾

功率耗散⁽¹⁾

4.9

I_DM

P_D

2.8

功率耗散，T_C= 25°C

T_J，工作结温，

-55 至 150

°C

T_stg

储存温度

雪崩能量，单一脉冲

I_D= 12.7A，L = 0.1mH，R_G= 25Ω

E_AS

8.1

(1) R_θJA= 45°C/W，这是一块厚度为 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印

刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸²，2 盎司铜焊盘上测得的典型

值。

P0093-01

(2) 最大 R_θJC= 5.5°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。

R_DS(on)与 V_GS对比

栅极电荷

200

180

160

140

120

100

I_D= 5 A

V_DS= 50 V

T_C= 25èC, I_D= 5 A

T_C= 125èC, I_D= 5 A

0.5

1.5

2.5

3.5

4.5

V_GS- Gate-to-Source Voltage (V)

Q_g- Gate Charge (nC)

D007

D004

An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,

intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.

English Data Sheet: SLPS583

12 3 4 5 6 7...13

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CSD19538Q3AT 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CSD19538Q3A	TI	类似代替	采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、61mΩ、100V、N 沟道 NexFET™

与CSD19538Q3AT相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CSD200	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 700V V(BR)CEO \| 2.5A I(C) \| TO-3
CSD20030	ETC	获取价格	ZERO RECOVERY RECTIFIER
CSD20030D	CREE	获取价格	Zero Recovery㈢ Rectifiers
CSD20060	ETC	获取价格	ZERO RECOVERY RECTIFIER
CSD20060D	CREE	获取价格	Zero Recovery㈢ Rectifiers
CSD20120	ETC	获取价格	RECTIFIER
CSD20120D	ETC	获取价格	RECTIFIER
CSD-20H-0.9G	MERRIMAC	获取价格	DIRECTIONAL COUPLER
CSD-20H-1.9G	MERRIMAC	获取价格	DIRECTIONAL COUPLERS
CSD20H120	CJ	获取价格	TO-220-2L

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