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CSD22206W

更新时间： 2024-11-29 11:11:55
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 栅开关脉冲晶体管栅极
页数 文件大小 规格书
15页 809K
描述
采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、5.7mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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CSD22206W 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：8 weeks
风险等级：1.66其他特性：ULTRA LOW RESISTANCE
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小漏源击穿电压：8 V
最大漏极电流 (ID)：5 A最大漏源导通电阻：0.0091 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：440 pF
JESD-30 代码：S-XBGA-B9JESD-609代码：e1
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：9工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：SQUARE
封装形式：GRID ARRAY峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：108 A
表面贴装：YES端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：BALL端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

CSD22206W 数据手册

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CSD22206W  
ZHCSGA1 –MAY 2017  
CSD22206W -8V P 通道 NexFET™功率金属氧化物半导体场效应晶体管  
(MOSFET)  
1 特性  
产品概要  
1
•
•
•
•
•
•
•
超低电阻  
TA = 25°C  
VDS  
典型值  
-8  
单位  
V
小尺寸封装 1.5mm x 1.5mm  
无铅  
漏源电压  
Qg  
栅极电荷总量 (-4.5V)  
栅极电荷（栅极到漏极）  
11.2  
1.8  
nC  
nC  
栅极静电放电 (ESD) 保护  
符合 RoHS 环保标准  
无卤素  
Qgd  
VGS = -2.5V  
VGS = -4.5V  
-0.7  
6.8  
4.7  
RDS(on)  
VGS(th)  
漏源导通电阻  
阈值电压  
mΩ  
V
栅 - 源电压钳位  
器件信息  
包装介质  
2 应用范围  
器件  
数量  
封装  
运输  
•
•
•
负载开关 应用范围  
电池管理  
CSD22206W  
3000  
1.50mm × 1.50mm  
晶圆级球状引脚栅格  
阵列 (BGA) 封装  
卷带封  
装
7 英寸卷带  
CSD22206WT  
250  
电池保护  
绝对最大额定值  
3 说明  
TA = 25°C  
值
-8  
单位  
V
这款 –8V、4.7mΩ、1.5mm × 1.5mm 器件设计用于在  
超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内提供最  
低的导通电阻和栅极电荷。低导通电阻与小型封装尺寸  
和低高度结合在一起，使得此器件非常适合于电池供电  
运行的空间受限 应用。  
VDS  
VGS  
漏源电压  
栅源电压  
-6  
V
持续漏极电流(1)  
脉冲漏极电流(2)  
功率耗散  
-5  
A
ID  
–108  
1.7  
A
PD  
W
TJ，  
Tstg  
工作结温，  
储存温度  
-55 至 150  
°C  
顶视图和电路配置  
(1) 器件在 105ºC 温度下运行.  
{ource  
(2) 典型 RθJA = 75°C/W（安装于具有最大铜安装区域的 FR4 材  
料），脉宽 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。  
D
{
{
{
{
{
Date  
5
5
5
5rain  
RDS(on) 与 VGS 对比  
栅极电荷  
30  
25  
20  
15  
10  
5
4.5  
TC = 25°C, I D = -2 A  
TC = 125°C, I D = -2 A  
ID = -2 A  
VDS = -4 V  
4
3.5  
3
2.5  
2
1.5  
1
0.5  
0
0
0
1
2
3
4
5
6
0
2
4
6
8
10  
12  
-VGS - Gate-to-Source Voltage (V)  
Qg - Gate Charge (nC)  
D007  
D004  
1
An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,  
intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.  
English Data Sheet: SLPS689  
 
 
 
 
 
1234567...15

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与CSD22206W相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CSD22206WT TI

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 		采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、5.7mΩ、
CSD23201W10 TI

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 		P-Channel NexFET™ Power MOSFET
CSD23201W10_16 TI

获取价格

 		P-Channel NexFET Power MOSFET
CSD23202W10 TI

获取价格

 		采用 1mm x 1mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、53mΩ、-12V、
CSD23202W10T TI

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 		采用 1mm x 1mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、53mΩ、-12V、
CSD23203W TI

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 		采用 1mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、19.4mΩ、-
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 		采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、116mΩ、
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 		采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、116mΩ、
CSD23285F5 TI

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 		采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、35mΩ、-

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