是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | GRID ARRAY, S-XBGA-B9 |
Reach Compliance Code: | compliant | Factory Lead Time: | 6 weeks |
风险等级: | 1.01 | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
最小漏源击穿电压: | 8 V | 最大漏极电流 (ID): | 5 A |
最大漏源导通电阻: | 0.014 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss): | 265 pF | JESD-30 代码: | S-XBGA-B9 |
JESD-609代码: | e1 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 9 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | GRID ARRAY |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 80 A |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式: | BALL | 端子位置: | BOTTOM |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CSD22205L | TI |
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采用 1.2mm x 1.2mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、9.9mΩ、 | |
CSD22205LT | TI |
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采用 1.2mm x 1.2mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、9.9mΩ、 | |
CSD22206W | TI |
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采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、5.7mΩ、 | |
CSD22206WT | TI |
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采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、5.7mΩ、 | |
CSD23201W10 | TI |
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P-Channel NexFET⢠Power MOSFET | |
CSD23201W10_16 | TI |
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P-Channel NexFET Power MOSFET | |
CSD23202W10 | TI |
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采用 1mm x 1mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、53mΩ、-12V、 | |
CSD23202W10T | TI |
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采用 1mm x 1mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、53mΩ、-12V、 | |
CSD23203W | TI |
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采用 1mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、19.4mΩ、- | |
CSD23203WT | TI |
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采用 1mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、19.4mΩ、- |