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CSD22204WT

更新时间: 2024-11-30 11:11:43
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德州仪器 - TI 开关脉冲晶体管栅极
页数 文件大小 规格书
16页 909K
描述
采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、9.9mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | YZF | 9 | -55 to 150

CSD22204WT 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:GRID ARRAY, S-XBGA-B9
Reach Compliance Code:compliantFactory Lead Time:6 weeks
风险等级:1.01配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压:8 V最大漏极电流 (ID):5 A
最大漏源导通电阻:0.014 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):265 pFJESD-30 代码:S-XBGA-B9
JESD-609代码:e1湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:9
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:SQUARE封装形式:GRID ARRAY
极性/信道类型:P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):80 A
表面贴装:YES端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式:BALL端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON

CSD22204WT 数据手册

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CSD22204W  
ZHCSDG9 MARCH 2015  
CSD22204W – 8V P 通道 NexFET™ 功率金属氧化物半导体场效应晶体管  
(MOSFET)  
1 特性  
产品概要  
1
低电阻  
TA = 25°C  
VDS  
典型值  
-8  
单位  
V
小尺寸封装 1.5mm x 1.5mm  
无铅  
漏源电压  
Qg  
栅极电荷总量 (-4.5V)  
栅极电荷(栅极到漏极)  
18.9  
4.2  
nC  
nC  
mΩ  
mΩ  
V
栅极静电放电 (ESD) 保护  
符合 RoHS 环保标准  
无卤素  
Qgd  
VGS = -2.5V  
VGS = -4.5V  
-0.7  
11.5  
8.2  
RDS(on)  
VGS(th)  
漏源导通电阻  
阈值电压  
- 源电压钳位  
订购信息(1)  
2 应用范围  
器件  
数量  
3000 7 英寸卷带  
250 7 英寸卷带  
介质  
封装  
出货  
电池管理  
CSD22204W  
1.5mm x 1.5mm  
晶圆级球状引脚栅 卷带封装  
格阵列 (BGA) 封装  
电池保护  
CSD22204WT  
负载开关应用  
(1) 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。  
3 说明  
最大绝对额定值  
这款 –8V8.2mΩ1.5mm × 1.5mm 器件设计用于在  
超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内提供最  
低的导通电阻和栅极电荷。 低导通电阻与小型封装尺  
寸和超薄特性结合在一起,使得此器件非常适合于电池  
供电运行的空间受限应用。  
TA = 25°C  
-8  
单位  
V
VDS  
VGS  
漏源电压  
栅源电压  
-6  
V
持续漏极电流(1)  
脉冲漏极电流(2)  
功率耗散  
-5  
A
ID  
-80  
1.7  
A
PD  
W
顶视图和电路配置  
TJ,  
Tstg  
运行结温和  
储存温度范围  
-55 150  
°C  
Source  
G
S
S
S
S
S
(1) 器件在 105ºC 温度下运行。  
(2) RθJA 典型值 = 75°C/W,脉宽 100μs,占空比 1%.  
Gate  
D
D
D
Drain  
1
PRODUCTION DATA information is current as of publication date. Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not necessarily include testing of all parameters.  
English Data Sheet: SLPS559  
 
 
 
 
 
 

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