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CSD23280F3

更新时间： 2023-09-03 20:31:14

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		栅开关脉冲晶体管栅极
页数	文件大小	规格书
14页	1343K
描述
采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、116mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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CSD23280F3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	LGA, 3 PIN
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	1.66	Samacsys Confidence：	4
Samacsys Status：	Released	Samacsys PartID：	723194
Samacsys Pin Count：	3	Samacsys Part Category：	MOSFET (P-Channel)
Samacsys Package Category：	Other	Samacsys Footprint Name：	YJM_FFW
Samacsys Released Date：	2018-05-09 11:34:38	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压：	12 V	最大漏极电流 (ID)：	1.8 A
最大漏源导通电阻：	0.25 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	11.1 pF	JESD-30 代码：	R-XBGA-N3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	11.4 A	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

CSD23280F3 数据手册

CSD23280F3

ZHCSEX4B –APRIL 2016 –REVISED FEBRUARY 2022

CSD23280F3 -12V P 沟道FemtoFET^™MOSFET

产品概要

1 特性

T_A= 25°C

典型值

–12

单位

V_DS

漏源电压

栅极电荷总量(4.5V)

• 低导通电阻

• 超低Q_g和Q_gd

• 高漏极工作电流

• 超小尺寸

Q_g

0.95

Q_gd

0.068

栅极电荷（栅极到漏极）

230

180

129

V_GS= –1.5V

V_GS= –1.8V

V_GS= –2.5V

V_GS= –4.5V

–0.65

– 0.73mm × 0.64mm

• 超薄型封装

漏源

导通电阻

R_DS(on)

mΩ

– 最大厚度为0.36mm

• 集成型ESD 保护二极管

V_GS(th)

阈值电压

– 额定值> 4kV HBM

– 额定值> 2kV CDM

• 无铅且无卤素

器件信息⁽¹⁾

介质

器件

数量

封装

配送

CSD23280F3

3000

Femto

• 符合RoHS

卷带

包装

0.73mm × 0.64mm

7 英寸卷带

CSD23280F3T

250

基板栅格阵列(LGA)

2 应用

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附

录。

• 针对负载开关应用进行了优化

• 针对通用开关应用进行了优化

• 电池应用

绝对最大额定值

T_A= 25°C

值

–12

–6

单位

• 手持式和移动类应用

V_DS

漏源电压

3 说明

V_GS

I_D

I_DM

P_D

栅源电压

该-12V、97mΩ P 沟道 FemtoFET^™MOSFET 经过设

计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应

用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号

MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。

持续漏极电流⁽¹⁾

持续漏极电流⁽²⁾

脉冲漏极电流^{(1) (3)}

功率耗散⁽¹⁾

2.9

1.8

11.4

1.4

功率耗散⁽²⁾

0.5

4000

2000

人体放电模型(HBM)

充电器件模型(CDM)

V_(ESD)

T_J、

T_stg

–55 至

150

工作结温、

贮存温度

0.36 mm

°C

(1) 典型R_θJA= 90°C/W（在0.06 英寸(1.52mm) 厚的FR4 PCB

上安装1 平方英寸(6.45cm²)、2oz、0.071mm 厚的铜焊盘

时）。

0.73 mm

0.64 mm

(2) 电路板覆铜面积最小时的典型R_θJA= 255°C/W

(3) 脉冲持续时间≤100μs，占空比≤1%。

典型器件尺寸

顶视图

本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问

www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SLPS601

12 3 4 5 6 7...14

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CSD23280F3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CSD25480F3	TI	类似代替	采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、159mΩ、
CSD23382F4	TI	类似代替	采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-12
CSD23381F4	TI	类似代替	CSD23381F4, 12 V P-Channel FemtoFET MOSFET

与CSD23280F3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CSD23280F3T	TI	获取价格	采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、116mΩ、
CSD23285F5	TI	获取价格	采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、35mΩ、-
CSD23285F5T	TI	获取价格	采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、35mΩ、-
CSD23381F4	TI	获取价格	CSD23381F4, 12 V P-Channel FemtoFET MOSFET
CSD23381F4R	TI	获取价格	CSD23381F4, 12 V P-Channel FemtoFET MOSFET
CSD23381F4T	TI	获取价格	采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、175mΩ、-1
CSD23382F4	TI	获取价格	采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-12
CSD23382F4T	TI	获取价格	采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-12
CSD2410	CRYDOM	获取价格	Panel Mount
CSD2410_11	CRYDOM	获取价格	Panel Mount

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