Datasheet > CSD23202W10T

CSD23202W10T

更新时间： 2024-11-29 11:11:19

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		栅开关晶体管栅极
页数	文件大小	规格书
13页	805K
描述
采用 1mm x 1mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、53mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET \| YZB \| 4 \| -55 to 150

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CSD23202W10T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	DSBGA-4
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	1.67
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小漏源击穿电压：	12 V
最大漏极电流 (ID)：	2.2 A	最大漏源导通电阻：	0.123 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	37 pF
JESD-30 代码：	S-XBGA-B4	JESD-609代码：	e1
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

CSD23202W10T 数据手册

Sample &

Buy

Support &

Community

Product

Folder

Tools &

Software

Technical

Documents

CSD23202W10

ZHCSCW2 –AUGUST 2014

CSD23202W10 12V P 通道 NexFET™ 功率金属氧化物半导体场效应晶体

管 (MOSFET)

1 特性

产品概要

•

超低 Q_g和 Q_gd

T_A= 25°C

V_DS

典型值

-12

单位

小尺寸封装 1mm x 1mm

薄型，0.62mm 高度

无铅

漏源电压

Q_g

栅极电荷总量 (-4.5V)

栅漏栅极电荷

2.9

mΩ

Q_gd

0.28

V_GS= –1.5V

栅极静电放电 (ESD) 保护 - 3kV

符合 RoHS 环保标准

无卤素

V_GS= –1.8V

V_GS= -2.5V

V_GS= -4.5V

R_DS(on)漏源导通电阻

V_GS(th)

阀值电压

–0.60

2 应用范围

订购信息⁽¹⁾

•

电池管理

负载开关

电池保护

器件

数量

3000 7 英寸卷带

250 7 英寸卷带

介质

封装

出货

卷带封装

CSD23202W10

CSD23202W10T

1 x 1mm 晶圆级封

装

3 说明

(1) 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。

这款 12V，44mΩ 器件设计用于在超薄且具有出色散

热特性的 1mm × 1mm 小外形

封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。

最大绝对额定值

T_A= 25°C

值

-12

-6

单位

V_DS

V_GS

I_D

漏源电压

栅源电压

。

持续漏极电流⁽¹⁾

脉冲漏极电流⁽²⁾

持续栅极钳位电流

脉冲栅极钳位电流

功率耗散⁽¹⁾

–2.2

–25

-0.5

-7

顶视图

I_DM

I_G

P_D

T_J，

T_stg

运行结温和

储存温度范围

-55 至 150

°C

(1) 器件在 105ºC 温度下运行

(2) R_θJA典型值 = 195°C/W，脉宽 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%

P0097-01

。

R_DS(on)与 V_GS间的关系

栅极电荷

150

135

120

105

4.5

T_C= 25°C,I _D= − 0.5 A

T_C= 125°C,I _D= −0.5 A

3.5

2.5

1.5

I_D= −0.5A

V_DS= −6V

0.5

1.5

2.5

Q_g- Gate Charge (nC)

−V_GS- Gate-to- Source Voltage (V)

G001

PRODUCTION DATA information is current as of publication date. Products conform to specifications per the terms of the Texas

Instruments standard warranty. Production processing does not necessarily include testing of all parameters.

English Data Sheet: SLPS506

12 3 4 5 6 7...13

中文翻译

下载PDF

CSD23202W10T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CSD23202W10	TI	类似代替	采用 1mm x 1mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、53mΩ、-12V、

与CSD23202W10T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CSD23203W	TI	获取价格	采用 1mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、19.4mΩ、-
CSD23203WT	TI	获取价格	采用 1mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、19.4mΩ、-
CSD23280F3	TI	获取价格	采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、116mΩ、
CSD23280F3T	TI	获取价格	采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、116mΩ、
CSD23285F5	TI	获取价格	采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、35mΩ、-
CSD23285F5T	TI	获取价格	采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、35mΩ、-
CSD23381F4	TI	获取价格	CSD23381F4, 12 V P-Channel FemtoFET MOSFET
CSD23381F4R	TI	获取价格	CSD23381F4, 12 V P-Channel FemtoFET MOSFET
CSD23381F4T	TI	获取价格	采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、175mΩ、-1
CSD23382F4	TI	获取价格	采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-12

与CSD23202W10T相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

48
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

38
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

66
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

62

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CSD23202W10T

CSD23202W10T 技术参数

CSD23202W10T 数据手册

CSD23202W10T 替代型号

与CSD23202W10T相关器件

与CSD23202W10T相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CSD23202W10T

CSD23202W10T 技术参数

CSD23202W10T 数据手册

CSD23202W10T 替代型号

与CSD23202W10T相关器件

与CSD23202W10T相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？