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CSD23382F4T

更新时间: 2023-09-03 20:28:29
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德州仪器 - TI 开关晶体管栅极
页数 文件大小 规格书
15页 1446K
描述
采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | YJC | 3 | -55 to 150

CSD23382F4T 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:LGA, 3 PIN
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:6 weeks风险等级:1.67
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:12 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):3.5 A最大漏极电流 (ID):3.5 A
最大漏源导通电阻:0.105 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):16.6 pFJESD-30 代码:R-XBGA-N3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):0.5 W
表面贴装:YES端子形式:NO LEAD
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

CSD23382F4T 数据手册

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CSD23382F4  
ZHCSCO2E MAY 2014 REVISED JANUARY 2022  
CSD23382F4 12V P FemtoFETMOSFET  
产品概要  
1 特性  
TA = 25°C  
VDS  
典型值  
12  
1.04  
单位  
V
漏源电压  
• 低导通电阻  
• 超Qg Qgd  
• 超小封装尺寸0402 外壳尺寸)  
Qg  
nC  
nC  
栅极电荷总(-4.5V)  
栅极电荷栅漏极)  
Qgd  
0.15  
VGS = -1.8V  
149  
90  
1.0mm × 0.6mm  
• 薄型封装  
RDS(on)  
VGS = -2.5V  
VGS = -4.5V  
mΩ  
漏源导通电阻  
阈值电压  
66  
– 最大高度0.36mm  
• 集成ESD 保护二极管  
VGS(th)  
-0.8  
V
– 额定> 2kV HBM  
– 额定> 2kV CDM  
• 铅端子镀层  
• 无卤素  
• 符RoHS  
订购信息(1)  
介质  
器件  
数量  
封装  
配送  
Femto (0402)  
1.0mm × 0.6mm  
基板栅格阵(LGA)  
CSD23382F4 3000  
CSD23382F4T 250  
7 英寸卷带  
7 英寸卷带  
卷带包装  
(1) 如需了解所有可用封装请参阅数据表末尾的可订购产品附  
录。  
2 应用  
• 针对负载开关应用进行了优化  
• 针对通用开关应用进行了优化  
• 电池应用  
绝对最大额定值  
TA = 25°C  
12  
±8  
单位  
V
VDS  
漏源电压  
• 手持式和移动类应用  
VGS  
ID  
V
栅源电压  
持续漏极电流(1)  
3.5  
22  
-35  
-350  
500  
2
3 说明  
A
脉冲漏极电流TA = 25°C(2)  
持续栅极钳位电流  
脉冲栅极钳位电流(2)  
功率耗散(1)  
IDM  
A
66mΩ、12V P 沟道 FemtoFETMOSFET 经过设  
计和优化能够尽可能减小许多手持式和移动应用中的  
空间占用。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET  
的同时将封装尺寸减小至60%。  
IG  
mA  
PD  
mW  
kV  
人体放电模(HBM)  
充电器件模(CDM)  
V(ESD)  
.
2
kV  
TJ、  
Tstg  
运行结温和  
贮存温度范围  
°C  
-55 150  
0.36 mm  
(1)  
RθJA = 85°C/W0.06 (1.52mm) FR4 PCB 1 平方  
(6.45cm2) 2oz  
(0.071mm) 厚的铜焊盘上的典型值。  
(2) 脉冲持续时100μs占空1%  
1.00 mm  
0.60 mm  
D
典型器件尺寸  
.
.
G
S
顶视图  
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www.ti.com其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前请务必参考最新版本的英文版本。  
English Data Sheet: SLPS453  
 
 
 
 
 
 
 
 

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