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CSD22204WT

更新时间: 2025-07-15 11:11:43
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德州仪器 - TI 开关脉冲晶体管栅极
页数 文件大小 规格书
16页 909K
描述
采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、9.9mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | YZF | 9 | -55 to 150

CSD22204WT 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:GRID ARRAY, S-XBGA-B9
Reach Compliance Code:compliantFactory Lead Time:6 weeks
风险等级:1.01配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压:8 V最大漏极电流 (ID):5 A
最大漏源导通电阻:0.014 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):265 pFJESD-30 代码:S-XBGA-B9
JESD-609代码:e1湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:9
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:SQUARE封装形式:GRID ARRAY
极性/信道类型:P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):80 A
表面贴装:YES端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式:BALL端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON

CSD22204WT 数据手册

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CSD22204W  
ZHCSDG9 MARCH 2015  
www.ti.com.cn  
5 Specifications  
5.1 Electrical Characteristics  
(TA = 25°C unless otherwise stated)  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX UNIT  
STATIC CHARACTERISTICS  
BVDSS  
BVGSS  
IDSS  
Drain-to-Source Voltage  
VGS = 0 V, IDS = –250 μA  
–8  
–6  
V
V
Gate-to-Source Voltage  
VDS = 0 V, IG = –5 μA  
Drain-to-Source Leakage Current  
Gate-to-Source Leakage Current  
Gate-to-Source Threshold Voltage  
VGS = 0 V, VDS = –6.4 V  
VDS = 0 V, VGS = –6 V  
VDS = VGS, IDS = –250 μA  
VGS = –2.5 V, IDS = –2 A  
VGS = –4.5 V, IDS = –2 A  
VDS = –0.8 V, IDS = –2 A  
–1  
–4  
μA  
μA  
V
IGSS  
VGS(th)  
–0.45  
–0.7 –0.95  
11.5  
8.2  
18  
14.0  
9.9  
mΩ  
mΩ  
S
RDS(on)  
gƒs  
Drain-to-Source On-Resistance  
Transconductance  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
CISS  
COSS  
CRSS  
RG  
Input Capacitance  
870  
445  
204  
300  
18.9  
4.2  
1130  
580  
pF  
pF  
pF  
Ω
VGS = 0 V, VDS = –4 V,  
ƒ = 1 MHz  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Series Gate Resistance  
Gate Charge Total (–4.5 V)  
Gate Charge - Gate-to-Drain  
Gate Charge - Gate-to-Source  
Gate Charge at Vth  
Output Charge  
265  
Qg  
24.6  
nC  
nC  
nC  
nC  
nC  
ns  
ns  
ns  
ns  
Qgd  
Qgs  
Qg(th)  
QOSS  
td(on)  
tr  
VDS = –4 V,  
ID = –2 A  
3.2  
0.7  
VDS = –4 V, VGS = 0 V  
3.1  
Turn On Delay Time  
Rise Time  
58  
600  
3450  
2290  
VDS = –4 V, VGS = –4.5 V,  
IDS = –2 A, RG = 0 Ω  
td(off)  
tƒ  
Turn Off Delay Time  
Fall Time  
DIODE CHARACTERISTICS  
VSD Diode Forward Voltage  
IDS = –2 A, VGS = 0 V  
–0.7  
–1.0  
V
5.2 Thermal Information  
(TA = 25°C unless otherwise stated)  
THERMAL METRIC  
Junction-to-Ambient Thermal Resistance(1)  
Junction-to-Ambient Thermal Resistance(2)  
TYPCIAL VALUES  
UNIT  
75  
RθJA  
°C/W  
230  
(1) Device mounted on FR4 material with 1 inch2 (6.45 cm2), 2 oz. (0.071 mm thick) Cu.  
(2) Device mounted on FR4 material with minimum Cu mounting area.  
4
Copyright © 2015, Texas Instruments Incorporated  

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