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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> CSD23381F4T
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CSD23381F4T

更新时间： 2023-06-19 15:36:28
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 栅开关小信号场效应晶体管栅极
页数 文件大小 规格书
12页 786K
描述
采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、175mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | YJC | 3 | -55 to 150

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CSD23381F4T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：GRID ARRAY, R-XBGA-N3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：6 weeks风险等级：1.66
其他特性：ULTRA LOW RESISTANCE配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压：12 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.3 A
最大漏极电流 (ID)：2.3 A最大漏源导通电阻：0.3 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XBGA-N3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

CSD23381F4T 数据手册

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CSD23381F4  
SLPS450B –OCTOBER 2013–REVISED FEBRUARY 2014  
CSD23381F4, 12 V P-Channel FemtoFET™ MOSFET  
.
1 Features  
Product Summary  
Drain-to-Source Voltage  
1
•
•
•
•
Ultra-Low On Resistance  
VDS  
Qg  
–12  
1140  
V
Ultra-Low Qg and Qgd  
Gate Charge Total (–4.5 V)  
Gate Charge Gate to Drain  
pC  
pC  
mΩ  
mΩ  
mΩ  
V
High Operating Drain Current  
Ultra-Small Footprint (0402 Case Size)  
Qgd  
190  
VGS = –1.8 V  
VGS = –2.5 V  
VGS = –4.5 V  
–0.95  
480  
250  
150  
RDS(on) Drain-to-Source On Resistance  
–
1.0 mm × 0.6 mm  
Ultra-Low Profile  
0.35 mm Max Height  
Integrated ESD Protection Diode  
•
•
VGS(th)  
Threshold Voltage  
–
.
Ordering Information  
–
–
Rated > 4 kV HBM  
Rated > 2 kV CDM  
Device  
Qty  
Media  
Package  
Ship  
CSD23381F4  
3000  
Femto(0402)  
1.0 mm x 0.6 mm  
Land Grid Array (LGA)  
7-Inch  
Reel  
Tape and  
Reel  
•
•
Lead and Halogen Free  
RoHS Compliant  
CSD23381F4T  
250  
.
2 Applications  
Absolute Maximum Ratings  
•
•
Optimized for Load Switch Applications  
TA = 25°C  
VALUE  
UNIT  
Optimized for General Purpose Switching  
Applications  
VDS  
VGS  
ID  
Drain-to-Source Voltage  
–12  
–8  
V
V
A
A
Gate-to-Source Voltage  
Continuous Drain Current(1)  
Pulsed Drain Current(2)  
–2.3  
–9  
•
•
Battery Applications  
IDM  
Handheld and Mobile Applications  
Continuous Gate Clamp Current  
Pulsed Gate Clamp Current(2)  
Power Dissipation(1)  
–35  
–350  
500  
4
IG  
mA  
3 Description  
PD  
mW  
kV  
This 150 mΩ, 12 V P-Channel FemtoFET™ MOSFET  
is designed and optimized to minimize the footprint in  
many handheld and mobile applications. This  
technology is capable of replacing standard small  
signal MOSFETs while providing at least a 60%  
reduction in footprint size.  
Human Body Model (HBM)  
Charged Device Model (CDM)  
ESD  
Rating  
2
kV  
TJ,  
TSTG  
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
–55 to 150  
°C  
(1) Typical RθJA = 85°C/W on 1-inch2 (6.45-cm2), 2-oz. (0.071-  
mm thick) Cu pad on a 0.06-inch (1.52-mm) thick FR4 PCB.  
.
(2) Pulse duration ≤ 300 μs, duty cycle ≤ 2%  
Typical Part Dimensions  
Top View  
0.35 mm  
D
0.60 mm  
1.00 mm  
G
S
.
1
An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,  
intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.  
 
 
 
 
 
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CSD23381F4T 替代型号

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