Datasheet > CSD22204WT

CSD22204WT

更新时间： 2025-07-15 11:11:43

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		栅开关脉冲晶体管栅极
页数	文件大小	规格书
16页	909K
描述
采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、9.9mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET \| YZF \| 9 \| -55 to 150

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CSD22204WT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	GRID ARRAY, S-XBGA-B9
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	1.01	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压：	8 V	最大漏极电流 (ID)：	5 A
最大漏源导通电阻：	0.014 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	265 pF	JESD-30 代码：	S-XBGA-B9
JESD-609代码：	e1	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	9
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

CSD22204W

ZHCSDG9 –MARCH 2015

www.ti.com.cn

R_DS(on)与 V_GS间的关系

栅极电荷

4.5

T_C= 25°C, I _D= -2 A

T_C= 125°C, I _D= -2 A

I_D= -2 A

V_DS= -4 V

3.5

2.5

1.5

0.5

1.5

2.5

3.5

4.5

5.5

-V_GS- Gate-To-Source Voltage (V)

Q_g- Gate Charge (nC)

D007

D004

123 4 5 6 7...16

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CSD22205L	TI	获取价格	采用 1.2mm x 1.2mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、9.9mΩ、
CSD22205LT	TI	获取价格	采用 1.2mm x 1.2mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、9.9mΩ、
CSD22206W	TI	获取价格	采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、5.7mΩ、
CSD22206WT	TI	获取价格	采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、5.7mΩ、
CSD23201W10	TI	获取价格	P-Channel NexFETâ¢ Power MOSFET
CSD23201W10_16	TI	获取价格	P-Channel NexFET Power MOSFET
CSD23202W10	TI	获取价格	采用 1mm x 1mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、53mΩ、-12V、
CSD23202W10T	TI	获取价格	采用 1mm x 1mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、53mΩ、-12V、
CSD23203W	TI	获取价格	采用 1mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、19.4mΩ、-
CSD23203WT	TI	获取价格	采用 1mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、19.4mΩ、-