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CSD23285F5T

更新时间： 2024-11-29 11:15:07

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		栅开关脉冲晶体管栅极
页数	文件大小	规格书
14页	1377K
描述
采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、35mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET \| YJK \| 3 \| -55 to 150

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CSD23285F5T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	1.66	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压：	12 V	最大漏极电流 (ID)：	3.3 A
最大漏源导通电阻：	0.13 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	48 pF	JESD-30 代码：	R-XBCC-N3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	31 A
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

CSD23285F5T 数据手册

CSD23285F5

ZHCSFD2B –AUGUST 2016 –REVISED FEBRUARY 2022

CSD23285F5 -12V P 沟道FemtoFET™ MOSFET

产品概要

1 特性

T_A= 25°C

V_DS

典型值

–12

3.2

单位

漏源电压

• 低导通电阻

• 低Q_g和Q_gd

• 超小尺寸

Q_g

栅极电荷总量(-4.5V)

Q_gd

0.48

栅极电荷（栅极到漏极）

漏源导通电阻

– 1.53mm x 0.77mm

– 0.50mm 焊盘间距

• 薄型封装

V_GS= –1.5V

V_GS= -1.8V

V_GS= -2.5V

V_GS= -4.5V

–0.65

R_DS(on)

mΩ

– 厚度为0.36mm

• 集成型ESD 保护二极管

V_GS(th)

阈值电压

– 额定值> 4kV 人体放电模式(HBM)

– 额定值> 2kV 组件充电模式(CDM)

• 无铅且无卤素

器件信息⁽¹⁾

介质

器件

数量

封装

配送

CSD23285F5

3000

Femto

• 符合RoHS

1.53mm × 0.77mm

7 英寸卷带

卷带式

CSD23285F5T

250

无引线SMD

2 应用

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附

录。

• 针对工业负载开关应用进行了优化

• 针对通用开关应用进行了优化

绝对最大额定值

3 说明

T_A= 25°C

值

单位

V_DS

–12

–6

漏源电压

该 29mΩ、-12V N 沟道 FemtoFET^™MOSFET 技术

经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和

移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信

号MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。

V_GS

I_D

I_DM

P_D

栅源电压

持续漏极电流⁽¹⁾

持续漏极电流⁽²⁾

脉冲漏极电流^{(1) (3)}

功率耗散⁽¹⁾

–3.3

–5.4

–31

0.5

功率耗散⁽²⁾

1.4

4000

2000

人体放电模型(HBM)

充电器件模型(CDM)

0.36 mm

V_(ESD)

T_J、

T_stg

–55 至

150

工作结温、

贮存温度

°C

(1)

(2)

_θJA= 245°C/W（覆铜面积最小时的典型值）。

_θJA= 90°C/W（覆铜面积最大时的典型值）。

(3) 脉冲持续时间≤100μs，占空比≤1%。

0.77 mm

1.53 mm

图3-1. 典型器件尺寸

图3-2. 顶视图

本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问

www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SLPS608

12 3 4 5 6 7...14

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CSD23285F5T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CSD23285F5	TI	类似代替	采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、35mΩ、-

与CSD23285F5T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CSD23381F4	TI	获取价格	CSD23381F4, 12 V P-Channel FemtoFET MOSFET
CSD23381F4R	TI	获取价格	CSD23381F4, 12 V P-Channel FemtoFET MOSFET
CSD23381F4T	TI	获取价格	采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、175mΩ、-1
CSD23382F4	TI	获取价格	采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-12
CSD23382F4T	TI	获取价格	采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-12
CSD2410	CRYDOM	获取价格	Panel Mount
CSD2410_11	CRYDOM	获取价格	Panel Mount
CSD2410-10	CRYDOM	获取价格	Trigger Output SSR, 1-Channel, 4000V Isolation, PLASTIC PACKAGE-4
CSD2410F	CRYDOM	获取价格	Trigger Output SSR, 1-Channel, 4000V Isolation, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-4
CSD2410F-10	CRYDOM	获取价格	Trigger Output SSR, 1-Channel, 4000V Isolation, PLASTIC PACKAGE-4

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