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CSD23285F5T

更新时间： 2025-07-15 11:15:07

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		栅开关脉冲晶体管栅极
页数	文件大小	规格书
14页	1377K
描述
采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、35mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET \| YJK \| 3 \| -55 to 150

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CSD23285F5T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	1.66	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压：	12 V	最大漏极电流 (ID)：	3.3 A
最大漏源导通电阻：	0.13 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	48 pF	JESD-30 代码：	R-XBCC-N3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	31 A
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

CSD23285F5T 数据手册

CSD23285F5

ZHCSFD2B –AUGUST 2016 –REVISED FEBRUARY 2022

www.ti.com.cn

Table of Contents

6 Device and Documentation Support..............................7

6.1 Receiving Notification of Documentation Updates......7

6.2 Trademarks.................................................................7

7 Mechanical, Packaging, and Orderable Information....8

7.1 Mechanical Dimensions..............................................8

7.2 Recommended Minimum PCB Layout........................9

7.3 Recommended Stencil Pattern................................... 9

1 特性................................................................................... 1

2 应用................................................................................... 1

3 说明................................................................................... 1

4 Revision History.............................................................. 2

5 Specifications.................................................................. 3

5.1 Electrical Characteristics.............................................3

5.2 Thermal Information....................................................3

5.3 Typical MOSFET Characteristics................................3

4 Revision History

Changes from Revision A (July 2017) to Revision B (February 2022)

Page

• 将超薄型封装要点中的厚度从0.35mm 更改为0.36mm..................................................................................... 1

• 将超薄型封装图片中的厚度从0.35mm 更新为0.36mm..................................................................................... 1

• Changed ultra-low profile image height from 0.35 mm to 0.36 mm....................................................................8

• Added FemtoFET Surface Mount Guide note.................................................................................................... 9

Changes from Revision * (August 2016) to Revision A (July 2017)

Page

• Added 表7-1 to the 节7.1 section......................................................................................................................8

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CSD23285F5T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CSD23285F5	TI	类似代替	采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、35mΩ、-

与CSD23285F5T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CSD23381F4	TI	获取价格	CSD23381F4, 12 V P-Channel FemtoFET MOSFET
CSD23381F4R	TI	获取价格	CSD23381F4, 12 V P-Channel FemtoFET MOSFET
CSD23381F4T	TI	获取价格	采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、175mΩ、-1
CSD23382F4	TI	获取价格	采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-12
CSD23382F4T	TI	获取价格	采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-12
CSD2410	CRYDOM	获取价格	Panel Mount
CSD2410	SENSATA	获取价格	SSR RELAY SPST-NO 10A 24-280V
CSD2410-10	CRYDOM	获取价格	Trigger Output SSR, 1-Channel, 4000V Isolation, PLASTIC PACKAGE-4
CSD2410F	CRYDOM	获取价格	Trigger Output SSR, 1-Channel, 4000V Isolation, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-4
CSD2410F	SENSATA	获取价格	负载电流(mA):10 A;触头类型:SPST-NO（1 Form A）;输出类型:AC，

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