Datasheet > CSD23382F4

CSD23382F4

更新时间： 2024-11-29 11:11:11

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		栅开关晶体管栅极
页数	文件大小	规格书
15页	1446K
描述
采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CSD23382F4 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	LGA, 3 PIN
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	1.67	Samacsys Description：	-12V, P ch NexFET MOSFET?, single LGA 0.6x1.0, 76mOhm
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	12 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.5 A	最大漏极电流 (ID)：	3.5 A
最大漏源导通电阻：	0.105 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	16.6 pF	JESD-30 代码：	R-XBGA-N3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

CSD23382F4 数据手册

CSD23382F4

ZHCSCO2E –MAY 2014 –REVISED JANUARY 2022

CSD23382F4 12V P 沟道FemtoFET^™MOSFET

产品概要

1 特性

T_A= 25°C

V_DS

典型值

–12

1.04

单位

漏源电压

• 低导通电阻

• 超低Q_g和Q_gd

• 超小封装尺寸（0402 外壳尺寸）

Q_g

栅极电荷总量(-4.5V)

栅极电荷（栅漏极）

Q_gd

0.15

V_GS= -1.8V

149

– 1.0mm × 0.6mm

• 薄型封装

R_DS(on)

V_GS= -2.5V

V_GS= -4.5V

mΩ

漏源导通电阻

阈值电压

– 最大高度为0.36mm

• 集成型ESD 保护二极管

V_GS(th)

-0.8

– 额定值> 2kV HBM

– 额定值> 2kV CDM

• 铅端子镀层

• 无卤素

• 符合RoHS

订购信息⁽¹⁾

介质

器件

数量

封装

配送

Femto (0402)

1.0mm × 0.6mm

基板栅格阵列(LGA)

CSD23382F4 3000

CSD23382F4T 250

7 英寸卷带

卷带包装

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附

录。

2 应用

• 针对负载开关应用进行了优化

• 针对通用开关应用进行了优化

• 电池应用

绝对最大额定值

T_A= 25°C

值

–12

±8

单位

V_DS

漏源电压

• 手持式和移动类应用

V_GS

I_D

栅源电压

持续漏极电流⁽¹⁾

–3.5

–22

-35

-350

500

3 说明

脉冲漏极电流，T_A= 25°C⁽²⁾

持续栅极钳位电流

脉冲栅极钳位电流⁽²⁾

功率耗散⁽¹⁾

I_DM

此 66mΩ、12V P 沟道 FemtoFET^™MOSFET 经过设

计和优化，能够尽可能减小许多手持式和移动应用中的

空间占用。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET

的同时将封装尺寸减小至少60%。

I_G

P_D

人体放电模型(HBM)

充电器件模型(CDM)

V_(ESD)

T_J、

T_stg

运行结温和

贮存温度范围

°C

-55 至150

0.36 mm

(1)

R_θJA= 85°C/W（0.06 英寸(1.52mm) 厚FR4 PCB 上1 平方

英寸(6.45cm²) 2oz

(0.071mm) 厚的铜焊盘上的典型值）。

(2) 脉冲持续时间≤100μs，占空比≤1%

1.00 mm

0.60 mm

典型器件尺寸

顶视图

本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问

www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SLPS453

12 3 4 5 6 7...15

中文翻译

下载PDF

CSD23382F4 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CSD23280F3	TI	类似代替	采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、116mΩ、
CSD23382F4T	TI	类似代替	采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-12
CSD23381F4	TI	类似代替	CSD23381F4, 12 V P-Channel FemtoFET MOSFET

与CSD23382F4相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CSD23382F4T	TI	获取价格	采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-12
CSD2410	CRYDOM	获取价格	Panel Mount
CSD2410_11	CRYDOM	获取价格	Panel Mount
CSD2410-10	CRYDOM	获取价格	Trigger Output SSR, 1-Channel, 4000V Isolation, PLASTIC PACKAGE-4
CSD2410F	CRYDOM	获取价格	Trigger Output SSR, 1-Channel, 4000V Isolation, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-4
CSD2410F-10	CRYDOM	获取价格	Trigger Output SSR, 1-Channel, 4000V Isolation, PLASTIC PACKAGE-4
CSD2410FGH	CRYDOM	获取价格	Trigger Output SSR, 1-Channel, 4000V Isolation, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-4
CSD2410FGH-10	CRYDOM	获取价格	Trigger Output SSR, 1-Channel, 4000V Isolation, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-4
CSD2410FGP-10	CRYDOM	获取价格	Trigger Output SSR, 1-Channel, 4000V Isolation, PLASTIC PACKAGE-4
CSD2410FGPH-10	CRYDOM	获取价格	Trigger Output SSR, 1-Channel, 4000V Isolation, PLASTIC PACKAGE-4

与CSD23382F4相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

48
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

38
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

66
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

62

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CSD23382F4

CSD23382F4 技术参数

CSD23382F4 数据手册

CSD23382F4 替代型号

与CSD23382F4相关器件

与CSD23382F4相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CSD23382F4

CSD23382F4 技术参数

CSD23382F4 数据手册

CSD23382F4 替代型号

与CSD23382F4相关器件

与CSD23382F4相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？