是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6 |
Reach Compliance Code: | compliant | Factory Lead Time: | 6 weeks |
风险等级: | 1.66 | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 8 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (ID): | 4.6 A | 最大漏源导通电阻: | 0.072 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 16.4 pF |
JESD-30 代码: | S-PDSO-N6 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 6 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 34.4 A | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | DUAL | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CSD19538Q3A | TI |
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采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、61mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ | |
CSD19538Q3AT | TI |
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采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、61mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ | |
CSD200 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 700V V(BR)CEO | 2.5A I(C) | TO-3 | |
CSD20030 | ETC |
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ZERO RECOVERY RECTIFIER | |
CSD20030D | CREE |
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Zero Recovery㈢ Rectifiers | |
CSD20060 | ETC |
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ZERO RECOVERY RECTIFIER | |
CSD20060D | CREE |
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Zero Recovery㈢ Rectifiers | |
CSD20120 | ETC |
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RECTIFIER | |
CSD20120D | ETC |
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RECTIFIER | |
CSD-20H-0.9G | MERRIMAC |
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DIRECTIONAL COUPLER |