5秒后页面跳转
CSD19538Q2T PDF预览

CSD19538Q2T

更新时间: 2024-11-29 11:14:23
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 局域网开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
15页 703K
描述
采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、59mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | DQK | 6 | -55 to 150

CSD19538Q2T 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6
Reach Compliance Code:compliantFactory Lead Time:6 weeks
风险等级:1.66其他特性:AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas):8 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (ID):4.6 A最大漏源导通电阻:0.072 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss):16.4 pF
JESD-30 代码:S-PDSO-N6JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:6工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:SQUARE
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):34.4 A表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:NO LEAD
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

CSD19538Q2T 数据手册

 浏览型号CSD19538Q2T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CSD19538Q2T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CSD19538Q2T的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CSD19538Q2T的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CSD19538Q2T的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CSD19538Q2T的Datasheet PDF文件第7页 
Support &  
Community  
Product  
Folder  
Order  
Now  
Tools &  
Software  
Technical  
Documents  
CSD19538Q2  
ZHCSF65A JULY 2016REVISED JANUARY 2017  
CSD19538Q2 100V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET  
1 特性  
产品概要  
1
超低 Qg Qgd  
TA=25°C  
VDS  
典型值  
单位  
V
低热阻  
漏源电压  
100  
4.3  
0.8  
雪崩额定值  
Qg  
栅极电荷总量 (10V)  
栅极电荷(栅极到漏极)  
nC  
nC  
无铅  
Qgd  
VGS = 6V  
VGS = 10V  
3.2  
58  
49  
符合 RoHS 标准  
RDS(on) 漏源导通电阻  
VGS(th) 阈值电压  
mΩ  
无卤素  
V
小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 塑料封装  
器件信息(1)  
2 应用  
器件  
数量  
包装介质  
封装  
运输  
以太网供电 (PoE)  
CSD19538Q2 3000  
CSD19538Q2T 250  
SON  
2.00mm x 2.00mm  
塑料封装  
卷带  
封装  
7 英寸卷带  
电源设备 (PSE)  
电机控制  
(1) 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。  
3 说明  
绝对最大额定值  
这款 100V49mΩ、采用 2mm × 2mm SON 封装的  
NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中  
大大降低 损耗。  
TA = 25°C  
单位  
V
VDS  
VGS  
漏源电压  
100  
±20  
14.4  
栅源电压  
V
持续漏极电流(受封装限制)  
顶视图  
持续漏极电流(受芯片限制),TC = 25°C 时  
测得  
ID  
13.1  
A
持续漏极电流(1)  
脉冲漏极电流(2)  
功率耗散(1)  
4.6  
34.4  
2.5  
D
D
G
1
2
3
6
5
4
D
D
S
IDM  
PD  
A
D
W
功率耗散,TC = 25°C  
20.2  
TJ, 工作结温,  
-55 150  
°C  
Tstg  
储存温度  
雪崩能量,单脉冲  
ID = 12.6AL = 0.1mHRG = 25Ω  
EAS  
8
mJ  
S
(1) RθJA = 50°C/W,这是在一块厚度为 0.06 英寸环氧树脂 (FR4)  
印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸22 盎司铜焊盘上测得的典型  
值。  
P0108-01  
(2) 最大 RθJC = 6.2°C/W,脉冲持续时间 100μs,占空比 1%。  
.
1
An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,  
intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.  
English Data Sheet: SLPS582  
 
 
 
 
 
 

与CSD19538Q2T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CSD19538Q3A TI

获取价格

采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、61mΩ、100V、N 沟道 NexFET™
CSD19538Q3AT TI

获取价格

采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、61mΩ、100V、N 沟道 NexFET™
CSD200 ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 700V V(BR)CEO | 2.5A I(C) | TO-3
CSD20030 ETC

获取价格

ZERO RECOVERY RECTIFIER
CSD20030D CREE

获取价格

Zero Recovery㈢ Rectifiers
CSD20060 ETC

获取价格

ZERO RECOVERY RECTIFIER
CSD20060D CREE

获取价格

Zero Recovery㈢ Rectifiers
CSD20120 ETC

获取价格

RECTIFIER
CSD20120D ETC

获取价格

RECTIFIER
CSD-20H-0.9G MERRIMAC

获取价格

DIRECTIONAL COUPLER