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CSD19534Q5A

更新时间： 2024-11-29 11:14:19
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 局域网PC开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
16页 595K
描述
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、15.1mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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CSD19534Q5A 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：VSONP-8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95Factory Lead Time：6 weeks
风险等级：1.65Samacsys Confidence：4
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：651979
Samacsys Pin Count：9Samacsys Part Category：MOSFET (N-Channel)
Samacsys Package Category：OtherSamacsys Footprint Name：DQJ (CSD19531Q5AT)
Samacsys Released Date：2018-04-29 11:28:37Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：55 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：10 A
最大漏源导通电阻：0.0176 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：7.4 pFJESD-30 代码：R-PDSO-N8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：137 A表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

CSD19534Q5A 数据手册

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CSD19534Q5A  
ZHCSCG4 –MAY 2014  
CSD19534Q5A 100V N 通道 NexFET™ 功率金属氧化物半导体场效应晶  
体管 (MOSFET)  
1 特性  
产品概要  
1
•
•
•
•
•
•
•
超低 Qg 和 Qgd  
TA = 25°C  
VDS  
典型值  
100  
17  
单位  
V
低热阻  
漏源电压  
雪崩额定值  
Qg  
栅极电荷总量 (10V)  
栅漏栅极电荷  
nC  
nC  
mΩ  
mΩ  
V
无铅端子镀层  
Qgd  
3.2  
VGS = 6V  
VGS = 10V  
2.8  
14.1  
12.6  
符合 RoHS 环保标准  
RDS(on) 漏源导通电阻  
VGS(th) 阀值电压  
无卤素  
小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装  
。
2 应用范围  
订购信息(1)  
数量  
•
•
初级侧电信应用  
电机控制  
器件  
介质  
封装  
出货  
卷带封装  
CSD19534Q5A  
CSD19534Q5AT  
13 英寸卷带  
7 英寸卷带  
2500  
250  
SON 5mm x  
6mm  
塑料封装  
3 说明  
(1) 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。  
这款 100V，12.6mΩ，SON 5mm x 6mm NexFET™  
功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地  
降低损耗。  
最大绝对额定值  
TA = 25°C  
值
100  
±20  
50  
单位  
V
VDS  
VGS  
漏源电压  
顶视图  
栅源电压  
V
持续漏极电流（受封装限制）  
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
持续漏极电流（受芯片限制），TC = 25°C  
时测得  
ID  
44  
A
持续漏极电流(1)  
脉冲漏极电流(2)  
功率耗散(1)  
10  
137  
3.2  
63  
IDM  
PD  
A
W
D
功率耗散，TC = 25°C  
D
TJ， 运行结温和  
P0093-01  
-55 至 150  
°C  
Tstg  
储存温度范围  
雪崩能量，单脉冲  
ID = 33A，L = 0.1mH，RG = 25Ω  
.
.
EAS  
55  
mJ  
(1) RθJA = 40°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印  
刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的铜过渡垫片上测得的  
典型值。  
(2) 最大 RθJC = 2.0°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%  
RDS(on) 与 VGS 间的关系  
栅极电荷  
40  
36  
32  
28  
24  
20  
16  
12  
8
10  
TC = 25°C,I D = 10A  
TC = 125°C,I D = 10A  
ID = 10A  
VDS = 50V  
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
4
0
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
20  
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
Qg - Gate Charge (nC)  
VGS - Gate-to- Source Voltage (V)  
G001  
G001  
1
PRODUCTION DATA information is current as of publication date. Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not necessarily include testing of all parameters.  
English Data Sheet: SLPS483  
 
 
 
 
 
 
1234567...16

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