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CSD19534Q5AT

更新时间： 2024-09-22 11:14:19

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		局域网开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
16页	595K
描述
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、15.1mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET \| DQJ \| 8 \| -55 to 150

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CSD19534Q5AT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	VSONP-8
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	1.65
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	55 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	10 A	最大漏源导通电阻：	0.0176 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	7.4 pF
JESD-30 代码：	R-PDSO-N8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	137 A
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

CSD19534Q5AT 数据手册

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CSD19534Q5A

ZHCSCG4 –MAY 2014

CSD19534Q5A 100V N 通道 NexFET™ 功率金属氧化物半导体场效应晶

体管 (MOSFET)

1 特性

产品概要

•

超低 Q_g和 Q_gd

T_A= 25°C

V_DS

典型值

100

单位

低热阻

漏源电压

雪崩额定值

Q_g

栅极电荷总量 (10V)

栅漏栅极电荷

mΩ

无铅端子镀层

Q_gd

3.2

V_GS= 6V

V_GS= 10V

2.8

14.1

12.6

符合 RoHS 环保标准

R_DS(on)漏源导通电阻

V_GS(th)阀值电压

无卤素

小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

。

2 应用范围

订购信息⁽¹⁾

数量

•

初级侧电信应用

电机控制

器件

介质

封装

出货

卷带封装

CSD19534Q5A

CSD19534Q5AT

13 英寸卷带

7 英寸卷带

2500

250

SON 5mm x

6mm

塑料封装

3 说明

(1) 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。

这款 100V，12.6mΩ，SON 5mm x 6mm NexFET™

功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地

降低损耗。

最大绝对额定值

T_A= 25°C

值

100

±20

单位

V_DS

V_GS

漏源电压

顶视图

栅源电压

持续漏极电流（受封装限制）

持续漏极电流（受芯片限制），T_C= 25°C

时测得

I_D

持续漏极电流⁽¹⁾

脉冲漏极电流⁽²⁾

功率耗散⁽¹⁾

137

3.2

I_DM

P_D

功率耗散，T_C= 25°C

T_J，运行结温和

P0093-01

-55 至 150

°C

T_stg

储存温度范围

雪崩能量，单脉冲

I_D= 33A，L = 0.1mH，R_G= 25Ω

E_AS

(1) R_θJA= 40°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印

刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸²，2 盎司的铜过渡垫片上测得的

典型值。

(2) 最大 R_θJC= 2.0°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%

R_DS(on)与 V_GS间的关系

栅极电荷

T_C= 25°C,I _D= 10A

T_C= 125°C,I _D= 10A

I_D= 10A

V_DS= 50V

Q_g- Gate Charge (nC)

V_GS- Gate-to- Source Voltage (V)

G001

PRODUCTION DATA information is current as of publication date. Products conform to specifications per the terms of the Texas

Instruments standard warranty. Production processing does not necessarily include testing of all parameters.

English Data Sheet: SLPS483

12 3 4 5 6 7...16

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CSD19535KCS	TI	获取价格	CSD19535KCS, 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET
CSD19535KTT	TI	获取价格	100V, N ch NexFET MOSFET™, single D2PAK, 3.4mOhm 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175
CSD19535KTTT	TI	获取价格	100V N-Channel NexFET Power MOSFET
CSD19536KCS	TI	获取价格	CSD19536KCS, 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET
CSD19536KTT	TI	获取价格	采用 D2PAK 封装的单路、2.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOS
CSD19536KTTT	TI	获取价格	采用 D2PAK 封装的单路、2.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOS
CSD19537Q3	TI	获取价格	采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.5mΩ、100V、N 沟道 NexFE
CSD19537Q3T	TI	获取价格	采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.5mΩ、100V、N 沟道 NexFE
CSD19538Q2	TI	获取价格	采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、59mΩ、100V、N 沟道 NexFET™
CSD19538Q2T	TI	获取价格	采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、59mΩ、100V、N 沟道 NexFET™

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