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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> CSD19535KTT
CSD19535KTT PDF预览

CSD19535KTT

更新时间： 2024-09-21 13:00:23
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI /
页数 文件大小 规格书
10页 804K
描述
100V, N ch NexFET MOSFET™, single D2PAK, 3.4mOhm 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175

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CSD19535KTT 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：TO-263, D2PAK-3/2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：6 weeks风险等级：1.66
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：451 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：200 A最大漏源导通电阻：0.0041 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：38 pF
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：400 A
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

CSD19535KTT 数据手册

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CSD19535KCS  
www.ti.com  
SLPS484 –JANUARY 2014  
CSD19535KCS, 100 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET  
Check for Samples: CSD19535KCS  
1
FEATURES  
2
•
•
•
•
•
•
•
Ultra-Low Qg and Qgd  
PRODUCT SUMMARY  
Low Thermal Resistance  
Avalanche Rated  
TA = 25°C  
VDS  
TYPICAL VALUE  
UNIT  
V
Drain-to-Source Voltage  
Gate Charge Total (10 V)  
Gate Charge Gate to Drain  
100  
78  
Qg  
nC  
nC  
mΩ  
mΩ  
V
Pb-Free Terminal Plating  
RoHS Compliant  
Qgd  
13  
VGS = 6 V  
VGS = 10 V  
2.7  
3.4  
3.1  
RDS(on) Drain-to-Source On Resistance  
VGS(th) Threshold Voltage  
Halogen Free  
TO-220 Plastic Package  
APPLICATIONS  
ORDERING INFORMATION  
Device  
CSD19535KCS  
Package  
Media  
Qty  
Ship  
Tube  
•
•
Secondary Side Synchronous Rectifier  
Motor Control  
TO-220 Plastic  
Package  
Tube  
50  
DESCRIPTION  
This 100 V, 3.1 mΩ, TO-220 NexFET™ power  
MOSFET is designed to minimize losses in power  
conversion applications.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
TA = 25°C  
VALUE  
UNIT  
VDS  
VGS  
Drain-to-Source Voltage  
100  
±20  
150  
V
V
Gate-to-Source Voltage  
Continuous Drain Current (Package limited)  
Pin Out Drawing  
Continuous Drain Current (Silicon limited),  
TC = 25°C  
Drain (Pin 2)  
187  
133  
ID  
A
Continuous Drain Current (Silicon limited),  
TC = 100°C  
IDM  
PD  
TJ,  
Pulsed Drain Current (1)  
181  
300  
A
Power Dissipation  
W
Operating Junction and Storage  
–55 to 175  
451  
°C  
Gate  
(Pin 1)  
TSTG Temperature Range  
Avalanche Energy, single pulse  
ID = 95 A, L = 0.1 mH, RG = 25 Ω  
EAS  
mJ  
(1) Pulse duration ≤ 300 μs, Duty cycle ≤ 1%  
Source (Pin 3)  
RDS(on) vs VGS  
GATE CHARGE  
10  
10  
TC = 25°C,I D = 100A  
TC = 125°C,I D = 100A  
ID = 100A  
VDS = 50V  
9
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
20  
0
8
16  
24  
32  
40  
48  
56  
64  
72  
80  
Qg - Gate Charge (nC)  
VGS - Gate-to- Source Voltage (V)  
G001  
G001  
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
NexFET is a trademark of Texas Instruments.  
2
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
Copyright © 2014, Texas Instruments Incorporated  
 
1234567...10

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CSD19535KTT 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CSD18542KTT TI

类似代替

 采用 D2PAK 封装的单路、4mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD19532KTT TI

类似代替

 采用 D2PAK 封装的单路、5.6mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOS
CSD19506KTT TI

类似代替

 80V, N ch NexFET MOSFET™, single D2PAK, 2.3mOhm 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CSD19535KTTT TI

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 		100V N-Channel NexFET Power MOSFET
CSD19536KCS TI

获取价格

 		CSD19536KCS, 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET
CSD19536KTT TI

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 		采用 D2PAK 封装的单路、2.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOS
CSD19536KTTT TI

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 		采用 D2PAK 封装的单路、2.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOS
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 		采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.5mΩ、100V、N 沟道 NexFE
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 		采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、61mΩ、100V、N 沟道 NexFET™

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