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CSD18542KTT

更新时间： 2024-09-22 11:11:31
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德州仪器 - TI /
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13页 748K
描述
采用 D2PAK 封装的单路、4mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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CSD18542KTT 数据手册

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CSD18542KTT  
ZHCSEU7A –MARCH 2016–REVISED MARCH 2017  
CSD18542KTT 60V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET  
1 特性  
产品概要  
1
•
•
•
•
•
•
•
•
超低 Qg 和 Qgd  
TA=25°C  
VDS  
典型值  
单位  
V
低热阻  
漏源电压  
60  
44  
雪崩额定值  
逻辑电平  
Qg  
栅极电荷总量 (10V)  
栅极电荷（栅极到漏极）  
nC  
nC  
Qgd  
6.9  
VGS = 4.5V  
VGS = 10V  
1.8  
4.0  
3.3  
无铅引脚镀层  
符合 RoHS 环保标准  
无卤素  
RDS(on) 漏源导通电阻  
VGS(th) 阈值电压  
mΩ  
V
D2PAK 塑料封装  
器件信息(1)  
包装介质  
器件  
数量  
500  
50  
封装  
运输  
2 应用  
D2PAK  
塑料封装  
CSD18542KTT  
CSD18542KTTT  
卷带  
封装  
13 英寸卷带  
•
•
•
直流 - 直流转换  
次级侧同步整流器  
电机控制  
(1) 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。  
绝对最大额定值  
TA=25°C  
值
60  
单位  
V
3 说明  
VDS  
VGS  
漏源电压  
这款 60V、3.3mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET™功率  
MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。  
Drain (Pin 2)  
栅源电压  
±20  
200  
V
持续漏极电流（受封装限制）  
持续漏极电流（受芯片限制），TC = 25°C 时  
测得  
170  
120  
ID  
A
持续漏极电流（受芯片限制），TC = 100°C  
时测得  
IDM  
PD  
脉冲漏极电流(1)  
400  
250  
A
功率耗散  
W
Gate  
(Pin 1)  
TJ， 工作结温，  
-55 至 175  
°C  
Tstg  
储存温度  
雪崩能量，单一脉冲  
ID = 75A，L = 0.1mH，RG = 25Ω  
EAS  
281  
mJ  
Source (Pin 3)  
(1) 最大 RθJC = 0.6°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。  
RDS(on) 与 VGS 间的关系  
栅极电荷  
12  
10  
ID = 100 A  
VDS = 30 V  
TC = 25°C, I D = 100 A  
TC = 125°C, I D = 100 A  
9
10  
8
7
6
5
4
3
2
1
0
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
20  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
40  
45  
50  
VGS - Gate-to-Source Voltage (V)  
Qg - Gate Charge (nC)  
D007  
D004  
1
An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,  
intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.  
English Data Sheet: SLPS590  
 
 
 
 
 
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