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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> CSD19531Q5A
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CSD19531Q5A

更新时间： 2024-11-28 12:53:51
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
14页 1435K
描述
100V N-Channel NexFET Power MOSFETs

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CSD19531Q5A 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, VSON-8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95Factory Lead Time：8 weeks
风险等级：1.09Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：180 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：100 A
最大漏极电流 (ID)：16 A最大漏源导通电阻：0.0078 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：16.9 pF
JESD-30 代码：R-PDSO-N8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：337 A子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

CSD19531Q5A 数据手册

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CSD19531Q5A  
www.ti.com  
SLPS406A –SEPTEMBER 2013–REVISED JANUARY 2014  
CSD19531Q5A 100 V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs  
Check for Samples: CSD19531Q5A  
1
FEATURES  
Product Summary  
2
•
•
•
•
•
•
•
Ultra-Low Qg and Qgd  
Low Thermal Resistance  
Avalanche Rated  
TA = 25°C  
TYPICAL VALUE  
UNIT  
V
VDS  
Qg  
Drain-to-Source Voltage  
100  
37  
Gate Charge Total (10 V)  
Gate Charge Gate to Drain  
nC  
nC  
mΩ  
mΩ  
V
Qgd  
6.6  
Pb-Free Terminal Plating  
RoHS Compliant  
VGS = 6 V  
VGS = 10 V  
2.7  
6.0  
5.3  
RDS(on) Drain-to-Source On Resistance  
VGS(th) Threshold Voltage  
Halogen Free  
SON 5 mm × 6 mm Plastic Package  
.
APPLICATIONS  
Ordering Information  
•
•
•
Primary Side Telecom  
Device  
Media  
Qty  
2500  
250  
Package  
Ship  
CSD19531Q5A  
CSD19531Q5AT  
13-Inch Reel  
7-Inch Reel  
Secondary Side Synchronous Rectifier  
Motor Control  
SON 5 x 6 mm  
Plastic Package  
Tape and  
Reel  
Absolute Maximum Ratings  
DESCRIPTION  
This 100 V, 5.3 mΩ, SON 5 mm x 6mm NexFET™  
power MOSFET is designed to minimize losses in  
power conversion applications.  
TA = 25°C  
VALUE  
UNIT  
V
VDS  
VGS  
Drain-to-Source Voltage  
100  
±20  
100  
Gate-to-Source Voltage  
V
Continuous Drain Current (Package limited)  
Top View  
Continuous Drain Current (Silicon limited),  
TC = 25°C  
ID  
110  
A
Continuous Drain Current(1)  
Pulsed Drain Current(2)  
Power Dissipation(1)  
16  
100  
3.3  
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
IDM  
PD  
TJ,  
A
W
Operating Junction and  
TSTG Storage Temperature Range  
–55 to 150  
180  
°C  
D
Avalanche Energy, single pulse  
EAS  
mJ  
D
ID = 60 A, L = 0.1 mH, RG = 25 Ω  
P0093-01  
(1) Typical RθJA = 40°C/W on a 1-inch2, 2-oz. Cu pad on a 0.06-  
inch thick FR4 PCB.  
(2) Pulse duration ≤ 300 μs, duty cycle ≤ 1%  
RDS(on) vs VGS  
GATE CHARGE  
20  
18  
16  
14  
12  
10  
8
10  
TC = 25°C,I D = 16A  
TC = 125°C,I D = 16A  
ID = 16A  
VDS = 50V  
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
20  
0
4
8
12  
16  
20  
24  
28  
32  
36  
40  
Qg - Gate Charge (nC)  
VGS - Gate-to- Source Voltage (V)  
G001  
G001  
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
NexFET is a trademark of Texas Instruments.  
2
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
Copyright © 2013–2014, Texas Instruments Incorporated  
 
 
 
 
 
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