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CSD19534KCS

更新时间： 2024-11-29 11:12:43
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI /
页数 文件大小 规格书
14页 633K
描述
采用 TO-220 封装的单路、16.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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CSD19534KCS 数据手册

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CSD19534KCS  
ZHCSD84 –JANUARY 2015  
CSD19534KCS 100V N 通道 NexFET™ 功率金属氧化物半导体场效应晶  
体管 (MOSFET)  
1 特性  
。
1
•
•
•
•
•
•
•
超低 Qg 和 Qgd  
低热阻  
产品概要  
TA = 25°C  
VDS  
典型值  
100  
单位  
V
雪崩额定值  
漏源电压  
无铅端子镀层  
符合 RoHS 环保标准  
无卤素  
Qg  
栅极电荷总量 (10V)  
栅漏栅极电荷  
16.4  
3.3  
nC  
nC  
mΩ  
mΩ  
V
Qgd  
VGS = 6V  
VGS = 10V  
2.8  
16.3  
13.7  
RDS(on) 漏源导通电阻  
VGS(th) 阀值电压  
晶体管 (TO)-220 塑料封装  
2 应用范围  
订购信息(1)  
封装  
•
•
次级侧同步整流器  
电机控制  
器件  
CSD19534KCS  
介质  
数量  
50  
出货  
TO-220 塑料封装  
管
管
(1) 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。  
3 说明  
这款 100V，13.7mΩ，TO-220 NexFET™ 功率  
MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低  
损耗。  
最大绝对额定值  
TA = 25°C  
值
单位  
V
VDS  
VGS  
漏源电压  
100  
±20  
100  
栅源电压  
V
空白  
持续漏极电流（受封装限制）  
Drain (Pin 2)  
持续漏极电流（受芯片限制），TC = 25°C  
时测得  
54  
38  
ID  
A
持续漏极电流（受芯片限制），TC=100°C  
时测得  
(1)  
IDM  
PD  
脉冲漏极电流  
138  
118  
A
功率耗散  
W
Gate  
(Pin 1)  
TJ， 运行结温和  
-55 至 175  
°C  
Tstg  
储存温度范围  
雪崩能量，单脉冲  
ID = 33A，L = 0.1mH，RG = 25Ω  
EAS  
54  
mJ  
Source (Pin 3)  
(1) 最大 RθJC = 1.3°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%  
RDS(on) 与 VGS 间的关系  
栅极电荷  
45  
10  
ID = 30 A  
VDS = 50 V  
TC = 25°C, I D = 30 A  
TC = 125°C, I D = 30 A  
40  
8
6
4
2
0
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
20  
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
VGS - Gate-to-Source Voltage (V)  
Qg - Gate Charge (nC)  
D007  
D004  
1
PRODUCTION DATA information is current as of publication date. Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not necessarily include testing of all parameters.  
English Data Sheet: SLPS530  
 
 
 
 
 
1234567...14

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