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CSD19536KTT

更新时间： 2024-11-29 11:14:03

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
15页	1232K
描述
采用 D2PAK 封装的单路、2.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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CSD19536KTT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	0.95
Samacsys Description：	CSD19536KTT 100 V N-Channel NexFET ™ Power MOSFET	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	806 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	200 A	最大漏源导通电阻：	0.0028 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	61 pF
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

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CSD19536KTT

ZHCSDH9B –MARCH 2015–REVISED AUGUST 2016

CSD19536KTT 100V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

1 特性

产品概要

•

超低 Q_g和 Q_gd

T_A= 25°C

V_DS

典型值

单位

低热阻

漏源电压

100

118

雪崩级

Q_g

栅极电荷总量 (10V)

栅极电荷（栅极到漏极）

无铅引脚镀层

符合 RoHS 环保标准

无卤素

Q_gd

V_GS= 6V

V_GS= 10V

2.5

2.2

R_DS(on)漏源导通电阻

V_GS(th)阈值电压

mΩ

D²PAK 塑料封装

器件信息⁽¹⁾

2 应用

器件

数量包装介质

封装

运输

卷带封装

•

次级侧同步整流器

CSD19536KTT

CSD19536KTTT

500

13 英寸

卷带

D²PAK 塑料封装

热插拔

电机控制

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅产品说明书末尾的可订购产品

附录。

3 说明

绝对最大额定值

这款 100V、2mΩ、D²PAK (TO-263) NexFET™功率

MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的损

耗。

T_A= 25°C

值

单位

V_DS

V_GS

漏源电压

100

±20

栅源电压

持续漏极电流

（受封装限制）

200

272

192

空白

持续漏极电流（受芯片限制），T_C= 25°C

时测得

I_D

引脚分配

Drain (Pin 2)

持续漏极电流（受芯片限制），T_C= 100°C

时测得

I_DM

P_D

脉冲漏极电流⁽¹⁾

400

375

功率耗散

T_J，工作结温，

-55 至 175

°C

T_stg

储存温度

Gate

雪崩能量，单脉冲

I_D= 127A，L = 0.1mH，R_G= 25Ω

(Pin 1)

E_AS

806

(1) 最大 R_θJC= 0.4°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。

Source (Pin 3)

R_DS(on)与 V_GS对比

栅极电荷

I_D= 100 A

V_DS= 50 V

T_C= 25°C, I _D= 100 A

T_C= 125°C, I _D= 100 A

96 108 120

V_GS- Gate-to-Source Voltage (V)

Q_g- Gate Charge (nC)

D007

D004

An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,

intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.

English Data Sheet: SLPS540

12 3 4 5 6 7...15

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CSD19536KTT 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CSD19536KTTT	TI	类似代替	采用 D2PAK 封装的单路、2.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOS
CSD19505KTT	TI	类似代替	采用 D2PAK 封装的单路、3.1mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSF
CSD19532KTT	TI	功能相似	采用 D2PAK 封装的单路、5.6mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOS

与CSD19536KTT相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CSD19536KTTT	TI	获取价格	采用 D2PAK 封装的单路、2.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOS
CSD19537Q3	TI	获取价格	采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.5mΩ、100V、N 沟道 NexFE
CSD19537Q3T	TI	获取价格	采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.5mΩ、100V、N 沟道 NexFE
CSD19538Q2	TI	获取价格	采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、59mΩ、100V、N 沟道 NexFET™
CSD19538Q2T	TI	获取价格	采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、59mΩ、100V、N 沟道 NexFET™
CSD19538Q3A	TI	获取价格	采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、61mΩ、100V、N 沟道 NexFET™
CSD19538Q3AT	TI	获取价格	采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、61mΩ、100V、N 沟道 NexFET™
CSD200	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 700V V(BR)CEO \| 2.5A I(C) \| TO-3
CSD20030	ETC	获取价格	ZERO RECOVERY RECTIFIER
CSD20030D	CREE	获取价格	Zero Recovery㈢ Rectifiers

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