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CSD19532KTT

更新时间： 2024-09-22 11:11:31

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	596K
描述
采用 D2PAK 封装的单路、5.6mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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CSD19532KTT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	8 weeks	风险等级：	1.66
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	259 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	200 A
最大漏源导通电阻：	0.0066 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	18 pF	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

CSD19532KTT 数据手册

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CSD19532KTT

ZHCSER4 –OCTOBER 2015

CSD19532KTT 100V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

1 特性

产品概要

•

超低 Q_g和 Q_gd

T_A=25°C

V_DS

典型值

单位

低热阻

漏源电压

100

雪崩级

Q_g

栅极电荷总量 (10V)

栅极电荷栅极到漏极

mΩ

无铅引脚镀层

符合 RoHS 环保标准

无卤素

Q_gd

5.6

V_GS= 6V

V_GS= 10V

2.6

5.3

4.6

R_DS(on)漏源导通电阻

V_GS(th)阈值电压

D²PAK 塑料封装

订购信息⁽¹⁾

2 应用

器件

数量包装介质

封装

运输

•

次级侧同步整流器

CSD19532KTT

CSD19532KTTT

500

13 英寸卷

带

卷带封

装

D²PAK 塑料封装

热插拔

电机控制

(1) 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。

3 说明

绝对最大额定值

这款 100V、4.6mΩ、D²PAK (TO-263) NexFET™功

率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低损

耗。

T_A= 25°C

值

单位

V_DS

V_GS

漏源电压

100

±20

200

栅源电压

持续漏极电流（受封装限制）

持续漏极电流（受芯片限制），T_C=25°C 时

测得

空白

136

I_D

持续漏极电流（受芯片限制），T_C= 100°C

时测得

引脚分配

5rain (ꢀin 2)

(1)

I_DM

P_D

脉冲漏极电流

400

250

功率耗散

T_J，运行结温和

-55 至 175

°C

T_stg

储存温度范围

雪崩能量，单一脉冲

I_D= 72A，L = 0.1mH，R_G= 25Ω

E_AS

259

Date

(ꢀin 1)

(1) 最大 R_θJC= 0.6°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，

占空比 ≤ 1%

增加文本，调节间距

栅极电荷

{ource (ꢀin 3)

R_DS(on)与 V_GS间的关系

I_D= 90 A

V_DS= 50 V

T_C= 25°C, I _D= 90 A

T_C= 125°C, I _D= 90 A

Q_g- Gate Charge (nC)

V_GS- Gate-to-Source Voltage (V)

D004

D007

An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,

intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.

English Data Sheet: SLPS553

12 3 4 5 6 7...13

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CSD19532KTT 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CSD19532KTTT	TI	类似代替	采用 D2PAK 封装的单路、5.6mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOS
CSD19535KTT	TI	类似代替	100V, N ch NexFET MOSFET™, single D2PAK, 3.4mOhm 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175
CSD19536KTT	TI	功能相似	采用 D2PAK 封装的单路、2.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOS

与CSD19532KTT相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CSD19532KTTT	TI	获取价格	采用 D2PAK 封装的单路、5.6mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOS
CSD19532Q5B	TI	获取价格	100 V N-Channel NexFETâ¢ Power MOSFET
CSD19532Q5B_16	TI	获取价格	100V N-Channel NexFET Power MOSFET
CSD19532Q5BT	TI	获取价格	暂无描述
CSD19533KCS	TI	获取价格	100 V N-Channel NexFET Power MOSFETs
CSD19533Q5A	TI	获取价格	100 V N-Channel NexFET Power MOSFETs
CSD19533Q5AT	TI	获取价格	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET
CSD19534KCS	TI	获取价格	采用 TO-220 封装的单路、16.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 M
CSD19534Q5A	TI	获取价格	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、15.1mΩ、100V、N 沟道 NexFE
CSD19534Q5AT	TI	获取价格	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、15.1mΩ、100V、N 沟道 NexFE

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