是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
Factory Lead Time: | 6 weeks | 风险等级: | 1.66 |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 106 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 100 V | 最大漏极电流 (ID): | 13 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0111 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss): | 12.5 pF | JESD-30 代码: | R-PDSO-F5 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 5 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 231 A | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
CSD19533Q5A | TI |
功能相似 |
100 V N-Channel NexFET Power MOSFETs |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CSD19534KCS | TI |
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采用 TO-220 封装的单路、16.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 M | |
CSD19534Q5A | TI |
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采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、15.1mΩ、100V、N 沟道 NexFE | |
CSD19534Q5AT | TI |
获取价格 |
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、15.1mΩ、100V、N 沟道 NexFE | |
CSD19535KCS | TI |
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CSD19535KCS, 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET | |
CSD19535KTT | TI |
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100V, N ch NexFET MOSFET™, single D2PAK, 3.4mOhm 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175 | |
CSD19535KTTT | TI |
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100V N-Channel NexFET Power MOSFET | |
CSD19536KCS | TI |
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CSD19536KCS, 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET | |
CSD19536KTT | TI |
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采用 D2PAK 封装的单路、2.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOS | |
CSD19536KTTT | TI |
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采用 D2PAK 封装的单路、2.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOS | |
CSD19537Q3 | TI |
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采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.5mΩ、100V、N 沟道 NexFE |