5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> CSD19532Q5B
CSD19532Q5B PDF预览

CSD19532Q5B

更新时间： 2024-11-28 12:56:15
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC局域网
页数 文件大小 规格书
13页 1377K
描述
100 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

CSD19532Q5B 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：VSON-8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95Factory Lead Time：8 weeks
风险等级：1.08Samacsys Confidence：4
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：750651
Samacsys Pin Count：8Samacsys Part Category：Transistor
Samacsys Package Category：OtherSamacsys Footprint Name：Q5B
Samacsys Released Date：2017-10-05 13:02:10Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：274 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：100 A
最大漏极电流 (ID)：17 A最大漏源导通电阻：0.0057 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：18 pF
JESD-30 代码：R-PDSO-N8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：195 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：400 A子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

CSD19532Q5B 数据手册

 浏览型号CSD19532Q5B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CSD19532Q5B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CSD19532Q5B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CSD19532Q5B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CSD19532Q5B的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CSD19532Q5B的Datasheet PDF文件第7页 
CSD19532Q5B  
www.ti.com  
SLPS414 –DECEMBER 2013  
100 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET  
Check for Samples: CSD19532Q5B  
1
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
2
•
•
•
•
•
•
•
Low Qg and Qgd  
TA = 25°C  
VDS  
TYPICAL VALUE  
UNIT  
V
Low Thermal Resistance  
Avalanche Rated  
Drain-to-Source Voltage  
Gate Charge Total (10 V)  
Gate Charge Gate to Drain  
100  
48  
Qg  
nC  
nC  
mΩ  
mΩ  
V
Qgd  
8.7  
Pb-Free Terminal Plating  
RoHS Compliant  
VGS = 6 V  
4.6  
4.0  
RDS(on) Drain-to-Source On Resistance  
VGS(th) Threshold Voltage  
VGS = 10 V  
Halogen Free  
2.6  
SON 5-mm × 6-mm Plastic Package  
ORDERING INFORMATION  
APPLICATIONS  
Device  
CSD19532Q5B  
Package  
Media  
Qty  
Ship  
•
Synchronous Rectifier for Offline and Isolated  
DC-DC Converters  
SON 5-mm × 6-mm  
Plastic Package  
13-Inch  
Reel  
Tape and  
Reel  
2500  
•
Motor Control  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
TA = 25°C  
VALUE  
UNIT  
V
DESCRIPTION  
This 4.0 mΩ, 100 V, SON 5-mm × 6-mm NexFET™  
power MOSFET is designed to minimize losses in  
power conversion applications.  
VDS  
VGS  
Drain-to-Source Voltage  
100  
±20  
100  
Gate-to-Source Voltage  
V
Continuous Drain Current (Package limited)  
Continuous Drain Current (Silicon limited),  
TC = 25°C  
ID  
124  
A
Top View  
Continuous Drain Current(1)  
Pulsed Drain Current(2)  
Power Dissipation(1)  
17  
200  
3.1  
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
IDM  
PD  
TJ,  
A
W
Operating Junction and Storage  
TSTG Temperature Range  
–55 to 150  
274  
°C  
Avalanche Energy, single pulse  
ID = 74 A, L = 0.1 mH, RG = 25 Ω  
EAS  
mJ  
D
D
(1) Typical RθJA = 40°C/W on a 1-inch2, 2-oz. Cu pad on a 0.06-  
inch thick FR4 PCB.  
P0093-01  
(2) Pulse duration ≤100 µs, duty cycle ≤2%  
RDS(on) vs VGS  
GATE CHARGE  
20  
18  
16  
14  
12  
10  
8
10  
TC = 25°C,I D = 17A  
TC = 125°C,I D = 17A  
ID = 17A  
VDS = 50V  
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
20  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
40  
45  
50  
Qg - Gate Charge (nC)  
VGS - Gate-to- Source Voltage (V)  
G001  
G001  
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
NexFET is a trademark of Texas Instruments.  
2
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
Copyright © 2013, Texas Instruments Incorporated  
 
 
1234567...13

中文翻译

下载PDF

CSD19532Q5B 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CSD19532Q5BT TI

完全替代

 暂无描述
CSD19537Q3 TI

类似代替

 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.5mΩ、100V、N 沟道 NexFE
CSD19531KCS TI

功能相似

 100V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs

与CSD19532Q5B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CSD19532Q5B_16 TI

获取价格

 		100V N-Channel NexFET Power MOSFET
CSD19532Q5BT TI

获取价格

 		暂无描述
CSD19533KCS TI

获取价格

 		100 V N-Channel NexFET Power MOSFETs
CSD19533Q5A TI

获取价格

 		100 V N-Channel NexFET Power MOSFETs
CSD19533Q5AT TI

获取价格

 		采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET
CSD19534KCS TI

获取价格

 		采用 TO-220 封装的单路、16.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 M
CSD19534Q5A TI

获取价格

 		采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、15.1mΩ、100V、N 沟道 NexFE
CSD19534Q5AT TI

获取价格

 		采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、15.1mΩ、100V、N 沟道 NexFE
CSD19535KCS TI

获取价格

 		CSD19535KCS, 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET
CSD19535KTT TI

获取价格

 		100V, N ch NexFET MOSFET™, single D2PAK, 3.4mOhm 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175

与CSD19532Q5B相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证