5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > CSD19532KTTT
CSD19532KTTT PDF预览

CSD19532KTTT

更新时间： 2024-09-22 11:11:31
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI /
页数 文件大小 规格书
13页 596K
描述
采用 D2PAK 封装的单路、5.6mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | KTT | 3 | -55 to 175

阅读下载

中文翻译

获取价格

CSD19532KTTT 数据手册

 浏览型号CSD19532KTTT的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CSD19532KTTT的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CSD19532KTTT的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CSD19532KTTT的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CSD19532KTTT的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CSD19532KTTT的Datasheet PDF文件第7页 
Sample &  
Buy  
Support &  
Community  
Product  
Folder  
Tools &  
Software  
Technical  
Documents  
CSD19532KTT  
ZHCSER4 –OCTOBER 2015  
CSD19532KTT 100V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET  
1 特性  
产品概要  
1
•
•
•
•
•
•
•
超低 Qg 和 Qgd  
TA=25°C  
VDS  
典型值  
单位  
V
低热阻  
漏源电压  
100  
44  
雪崩级  
Qg  
栅极电荷总量 (10V)  
栅极电荷 栅极到漏极  
nC  
nC  
mΩ  
mΩ  
V
无铅引脚镀层  
符合 RoHS 环保标准  
无卤素  
Qgd  
5.6  
VGS = 6V  
VGS = 10V  
2.6  
5.3  
4.6  
RDS(on) 漏源导通电阻  
VGS(th) 阈值电压  
D2PAK 塑料封装  
订购信息(1)  
2 应用  
器件  
数量 包装介质  
封装  
运输  
•
•
•
次级侧同步整流器  
CSD19532KTT  
CSD19532KTTT  
500  
13 英寸卷  
带
卷带封  
装
D2PAK 塑料封装  
热插拔  
50  
电机控制  
(1) 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。  
3 说明  
绝对最大额定值  
这款 100V、4.6mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET™功  
率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损  
耗。  
TA = 25°C  
值
单位  
V
VDS  
VGS  
漏源电压  
100  
±20  
200  
栅源电压  
V
持续漏极电流（受封装限制）  
持续漏极电流（受芯片限制），TC=25°C 时  
测得  
空白  
136  
98  
ID  
A
持续漏极电流（受芯片限制），TC = 100°C  
时测得  
引脚分配  
5rain (ꢀin 2)  
(1)  
IDM  
PD  
脉冲漏极电流  
400  
250  
A
功率耗散  
W
TJ， 运行结温和  
-55 至 175  
°C  
Tstg  
储存温度范围  
雪崩能量，单一脉冲  
ID = 72A，L = 0.1mH，RG = 25Ω  
EAS  
259  
mJ  
Date  
(ꢀin 1)  
(1) 最大 RθJC = 0.6°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，  
占空比 ≤ 1%  
增加文本，调节间距  
栅极电荷  
{ource (ꢀin 3)  
RDS(on) 与 VGS 间的关系  
14  
10  
ID = 90 A  
VDS = 50 V  
TC = 25°C, I D = 90 A  
TC = 125°C, I D = 90 A  
9
12  
8
7
6
5
4
3
2
1
0
10  
8
6
4
2
0
0
6
12  
18  
24  
30  
36  
42  
48  
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
20  
Qg - Gate Charge (nC)  
VGS - Gate-to-Source Voltage (V)  
D004  
D007  
1
An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,  
intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.  
English Data Sheet: SLPS553  
 
 
 
 
 
1234567...13

中文翻译

下载PDF

CSD19532KTTT 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CSD19532KTT TI

类似代替

 采用 D2PAK 封装的单路、5.6mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOS

与CSD19532KTTT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CSD19532Q5B TI

获取价格

 		100 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET
CSD19532Q5B_16 TI

获取价格

 		100V N-Channel NexFET Power MOSFET
CSD19532Q5BT TI

获取价格

 		暂无描述
CSD19533KCS TI

获取价格

 		100 V N-Channel NexFET Power MOSFETs
CSD19533Q5A TI

获取价格

 		100 V N-Channel NexFET Power MOSFETs
CSD19533Q5AT TI

获取价格

 		采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET
CSD19534KCS TI

获取价格

 		采用 TO-220 封装的单路、16.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 M
CSD19534Q5A TI

获取价格

 		采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、15.1mΩ、100V、N 沟道 NexFE
CSD19534Q5AT TI

获取价格

 		采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、15.1mΩ、100V、N 沟道 NexFE
CSD19535KCS TI

获取价格

 		CSD19535KCS, 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET

与CSD19532KTTT相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证