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CSD19532KTTT

更新时间： 2024-11-29 11:11:31
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI /
页数 文件大小 规格书
13页 596K
描述
采用 D2PAK 封装的单路、5.6mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | KTT | 3 | -55 to 175

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CSD19532KTTT 数据手册

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CSD19532KTT  
ZHCSER4 –OCTOBER 2015  
CSD19532KTT 100V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET  
1 特性  
产品概要  
1
•
•
•
•
•
•
•
超低 Qg 和 Qgd  
TA=25°C  
VDS  
典型值  
单位  
V
低热阻  
漏源电压  
100  
44  
雪崩级  
Qg  
栅极电荷总量 (10V)  
栅极电荷 栅极到漏极  
nC  
nC  
mΩ  
mΩ  
V
无铅引脚镀层  
符合 RoHS 环保标准  
无卤素  
Qgd  
5.6  
VGS = 6V  
VGS = 10V  
2.6  
5.3  
4.6  
RDS(on) 漏源导通电阻  
VGS(th) 阈值电压  
D2PAK 塑料封装  
订购信息(1)  
2 应用  
器件  
数量 包装介质  
封装  
运输  
•
•
•
次级侧同步整流器  
CSD19532KTT  
CSD19532KTTT  
500  
13 英寸卷  
带
卷带封  
装
D2PAK 塑料封装  
热插拔  
50  
电机控制  
(1) 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。  
3 说明  
绝对最大额定值  
这款 100V、4.6mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET™功  
率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损  
耗。  
TA = 25°C  
值
单位  
V
VDS  
VGS  
漏源电压  
100  
±20  
200  
栅源电压  
V
持续漏极电流（受封装限制）  
持续漏极电流（受芯片限制），TC=25°C 时  
测得  
空白  
136  
98  
ID  
A
持续漏极电流（受芯片限制），TC = 100°C  
时测得  
引脚分配  
5rain (ꢀin 2)  
(1)  
IDM  
PD  
脉冲漏极电流  
400  
250  
A
功率耗散  
W
TJ， 运行结温和  
-55 至 175  
°C  
Tstg  
储存温度范围  
雪崩能量，单一脉冲  
ID = 72A，L = 0.1mH，RG = 25Ω  
EAS  
259  
mJ  
Date  
(ꢀin 1)  
(1) 最大 RθJC = 0.6°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，  
占空比 ≤ 1%  
增加文本，调节间距  
栅极电荷  
{ource (ꢀin 3)  
RDS(on) 与 VGS 间的关系  
14  
10  
ID = 90 A  
VDS = 50 V  
TC = 25°C, I D = 90 A  
TC = 125°C, I D = 90 A  
9
12  
8
7
6
5
4
3
2
1
0
10  
8
6
4
2
0
0
6
12  
18  
24  
30  
36  
42  
48  
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
20  
Qg - Gate Charge (nC)  
VGS - Gate-to-Source Voltage (V)  
D004  
D007  
1
An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,  
intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.  
English Data Sheet: SLPS553  
 
 
 
 
 
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CSD19532KTTT 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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