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CSD19505KTT

更新时间： 2024-11-29 11:10:59

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	632K
描述
采用 D2PAK 封装的单路、3.1mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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CSD19505KTT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	8 weeks	风险等级：	1.67
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	510 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	80 V	最大漏极电流 (ID)：	200 A
最大漏源导通电阻：	0.0038 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	34 pF	JESD-30 代码：	R-PSSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	2
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

CSD19505KTT 数据手册

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CSD19505KTT

ZHCSF04 –MARCH 2016

CSD19505KTT 80V N 沟道 NexFET™功率金属氧化物半导体场效应晶体

管 (MOSFET)

1 特性

产品概要

•

超低 Q_g和 Q_gd

低热阻

T_A=25°C

V_DS

典型值

单位

漏源电压

雪崩级

Q_g

栅极电荷总量 (10V)

栅极电荷栅极到漏极

mΩ

无铅引脚镀层

符合 RoHS 环保标准

无卤素

Q_gd

V_GS= 6V

V_GS= 10V

2.6

2.9

2.6

R_DS(on)漏源导通电阻

V_GS(th)阈值电压

D²PAK 塑料封装

器件信息⁽¹⁾

2 应用

器件

数量包装介质

封装

运输

•

次级侧同步整流器

电机控制

CSD19505KTT

CSD19505KTTT

500

13 英寸卷

带

卷带封

装

D²PAK 塑料封装

(1) 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。

3 说明

这款 80V、2.6mΩ、D²PAK (TO-263) NexFET™功率

绝对最大额定值

T_A= 25°C

值

单位

MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。

V_DS

V_GS

漏源电压

空白

栅源电压

±20

200

5rain (ꢀin 2)

持续漏极电流（受封装限制）

持续漏极电流（受芯片限制），T_C= 25°C

时测得

212

150

I_D

持续漏极电流（受芯片限制），T_C= 100°C

时测得

I_DM

P_D

脉冲漏极电流⁽¹⁾

400

300

Date

功率耗散

(ꢀin 1)

T_J，工作结温，

-55 至 175

°C

T_stg

储存温度

雪崩能量，单一脉冲

I_D= 101A，L = 0.1mH，R_G= 25Ω

E_AS

510

{ource (ꢀin 3)

(1) 最大 R_θJC= 0.5°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤

1%。

R_DS(on)与 V_GS间的关系

栅极电荷

I_D= 100 A

V_DS= 40 V

T_C= 25°C, I _D= 100 A

T_C= 125°C, I _D= 100 A

V_GS- Gate-to-Source Voltage (V)

Q_g- Gate Charge (nC)

D004

D007

An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,

intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.

English Data Sheet: SLPS587

12 3 4 5 6 7...14

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CSD19505KTT 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CSD19536KTT	TI	类似代替	采用 D2PAK 封装的单路、2.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOS
CSD18542KTT	TI	功能相似	采用 D2PAK 封装的单路、4mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

与CSD19505KTT相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CSD19505KTTT	TI	获取价格	采用 D2PAK 封装的单路、3.1mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSF
CSD19506KCS	TI	获取价格	80V N-Channel NexFET Power MOSFETs
CSD19506KTT	TI	获取价格	80V, N ch NexFET MOSFET™, single D2PAK, 2.3mOhm 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175
CSD19506KTTT	TI	获取价格	80 V N-Channel NexFET Power MOSFET
CSD19531KCS	TI	获取价格	100V N-Channel NexFETâ¢ Power MOSFETs
CSD19531Q5A	TI	获取价格	100V N-Channel NexFET Power MOSFETs
CSD19531Q5A_16	TI	获取价格	100V N-Channel NexFET Power MOSFETs
CSD19531Q5AT	TI	获取价格	100V, N ch NexFET MOSFET™, single SON5x6, 6.4mOhm 8-VSONP -55 to 150
CSD19532KTT	TI	获取价格	采用 D2PAK 封装的单路、5.6mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOS
CSD19532KTTT	TI	获取价格	采用 D2PAK 封装的单路、5.6mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOS

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