是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SFM |
包装说明: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, KCS, TO-220, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | Factory Lead Time: | 6 weeks |
风险等级: | 1.68 | Samacsys Confidence: | 4 |
Samacsys Status: | Released | Samacsys PartID: | 414090 |
Samacsys Pin Count: | 3 | Samacsys Part Category: | MOSFET (N-Channel) |
Samacsys Package Category: | Transistor Outline, Vertical | Samacsys Footprint Name: | KCS (R-PSFM-T3)_1 |
Samacsys Released Date: | 2018-03-29 16:14:40 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 832 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 80 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 100 A |
最大漏极电流 (ID): | 100 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0028 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 55 pF |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 375 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 236 A |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
CSD19503KCS | TI |
类似代替 |
80 V N-Channel NexFET Power MOSFETs | |
CSD19501KCS | TI |
类似代替 |
CSD19501KCS, 80 V N-Channel NexFET Power MOSFETs | |
CSD19505KCS | TI |
类似代替 |
CSD19505KCS, 80 V N-Channel NexFET Power MOSFETs |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CSD19506KTT | TI |
获取价格 |
80V, N ch NexFET MOSFET™, single D2PAK, 2.3mOhm 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175 | |
CSD19506KTTT | TI |
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80 V N-Channel NexFET Power MOSFET | |
CSD19531KCS | TI |
获取价格 |
100V N-Channel NexFET⢠Power MOSFETs | |
CSD19531Q5A | TI |
获取价格 |
100V N-Channel NexFET Power MOSFETs | |
CSD19531Q5A_16 | TI |
获取价格 |
100V N-Channel NexFET Power MOSFETs | |
CSD19531Q5AT | TI |
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100V, N ch NexFET MOSFET™, single SON5x6, 6.4mOhm 8-VSONP -55 to 150 | |
CSD19532KTT | TI |
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采用 D2PAK 封装的单路、5.6mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOS | |
CSD19532KTTT | TI |
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采用 D2PAK 封装的单路、5.6mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOS | |
CSD19532Q5B | TI |
获取价格 |
100 V N-Channel NexFET⢠Power MOSFET | |
CSD19532Q5B_16 | TI |
获取价格 |
100V N-Channel NexFET Power MOSFET |