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CSD18542KTTT

更新时间： 2024-11-29 11:11:31

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	748K
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采用 D2PAK 封装的单路、4mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET \| KTT \| 3 \| -55 to 175

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CSD18542KTTT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3
Reach Compliance Code：	not_compliant	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	1.01	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	281 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	200 A	最大漏源导通电阻：	0.0051 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	14 pF
JESD-30 代码：	R-PSSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	2	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

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CSD18542KTT

ZHCSEU7A –MARCH 2016–REVISED MARCH 2017

CSD18542KTT 60V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

1 特性

产品概要

•

超低 Q_g和 Q_gd

T_A=25°C

V_DS

典型值

单位

低热阻

漏源电压

雪崩额定值

逻辑电平

Q_g

栅极电荷总量 (10V)

栅极电荷（栅极到漏极）

Q_gd

6.9

V_GS= 4.5V

V_GS= 10V

1.8

4.0

3.3

无铅引脚镀层

符合 RoHS 环保标准

无卤素

R_DS(on)漏源导通电阻

V_GS(th)阈值电压

mΩ

D²PAK 塑料封装

器件信息⁽¹⁾

包装介质

器件

数量

500

封装

运输

2 应用

D²PAK

塑料封装

CSD18542KTT

CSD18542KTTT

卷带

封装

13 英寸卷带

•

直流 - 直流转换

次级侧同步整流器

电机控制

(1) 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。

绝对最大额定值

T_A=25°C

值

单位

3 说明

V_DS

V_GS

漏源电压

这款 60V、3.3mΩ、D²PAK (TO-263) NexFET™功率

MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。

Drain (Pin 2)

栅源电压

±20

200

持续漏极电流（受封装限制）

持续漏极电流（受芯片限制），T_C= 25°C 时

测得

170

120

I_D

持续漏极电流（受芯片限制），T_C= 100°C

时测得

I_DM

P_D

脉冲漏极电流⁽¹⁾

400

250

功率耗散

Gate

(Pin 1)

T_J，工作结温，

-55 至 175

°C

T_stg

储存温度

雪崩能量，单一脉冲

I_D= 75A，L = 0.1mH，R_G= 25Ω

E_AS

281

Source (Pin 3)

(1) 最大 R_θJC= 0.6°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。

R_DS(on)与 V_GS间的关系

栅极电荷

I_D= 100 A

V_DS= 30 V

T_C= 25°C, I _D= 100 A

T_C= 125°C, I _D= 100 A

V_GS- Gate-to-Source Voltage (V)

Q_g- Gate Charge (nC)

D007

D004

An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,

intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.

English Data Sheet: SLPS590

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CSD18542KTT	TI	功能相似	采用 D2PAK 封装的单路、4mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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CSD18543Q3AT	TI	获取价格	采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9.9mΩ、60V、N 沟道 NexFET™
CSD18563Q5A	TI	获取价格	60-V N-Channel NexFET Power MOSFETs
CSD18563Q5AT	TI	获取价格	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、6.8mΩ、60V、N 沟道 NexFET™
CSD19501KCS	TI	获取价格	CSD19501KCS, 80 V N-Channel NexFET Power MOSFETs
CSD19502Q5B	TI	获取价格	80 V N-Channel NexFETâ¢ Power MOSFET
CSD19502Q5BT	TI	获取价格	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.1mΩ、80V、N 沟道 NexFET™
CSD19503KCS	TI	获取价格	80 V N-Channel NexFET Power MOSFETs
CSD19505KCS	TI	获取价格	CSD19505KCS, 80 V N-Channel NexFET Power MOSFETs
CSD19505KTT	TI	获取价格	采用 D2PAK 封装的单路、3.1mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSF

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