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CSD18543Q3A

更新时间： 2024-09-22 11:13:55

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		局域网 PC 开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	629K
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采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9.9mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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CSD18543Q3A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	VSONP-8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	8 weeks	风险等级：	1.66
Samacsys Confidence：	4	Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	694403	Samacsys Pin Count：	8
Samacsys Part Category：	Transistor	Samacsys Package Category：	Other
Samacsys Footprint Name：	Q3A	Samacsys Released Date：	2017-08-06 22:33:04
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	55 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	12 A	最大漏源导通电阻：	0.0156 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	6.2 pF
JESD-30 代码：	R-PDSO-F8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	156 A	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

CSD18543Q3A 数据手册

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CSD18543Q3A

ZHCSFS2 –DECEMBER 2016

CSD18543Q3A 60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

1 特性

•

超低 Q_g和 Q_gd

低导通电阻 R_DS(on)

产品概要

T_A=25°C

V_DS

典型值

单位

低热阻

漏源电压

雪崩额定值

无铅

Q_g

栅极电荷总量 (10V)

栅极电荷（栅极到漏极）

11.1

1.7

Q_gd

V_GS= 4.5V

V_GS= 10V

2.0

12.0

8.1

符合 RoHS 环保标准

无卤素

R_DS(on)漏源导通电阻

V_GS(th)阈值电压

mΩ

小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封

装

器件信息⁽¹⁾

数量

器件

包装介质

封装

运输

2 应用范围

CSD18543Q3A

CSD18543Q3AT

13 英寸卷带 2500

小外形尺寸无引线

(SON)

•

固态继电器开关

直流 - 直流转换

次级侧同步整流器

经隔离转换器主级侧开关

电机控制

卷带式

3.30mm × 3.30mm

塑料封装

7 英寸卷带

250

(1) 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。

绝对最大额定值

T_A= 25°C

值

单位

V_DS漏源电压

V_GS栅源电压

3 说明

±20

这款采用 3.3mm × 3.3mm SON 封装的 60V、

8.1mΩ、 NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转

换应用中大大降低损耗。

持续漏极电流（受封装限制）

持续漏极电流（受芯片限制），T_C= 25°C 时

测得

I_D

持续漏极电流⁽¹⁾

脉冲漏极电流⁽²⁾

功率耗散⁽¹⁾

156

2.8

俯视图

I_DM

P_D

功率耗散，T_C= 25°C

T_J，工作结温，

-55 至 150

°C

T_stg

储存温度

雪崩能量，单一脉冲

I_D= 33A，L = 0.1mH，R_G= 25Ω

E_AS

(1) R_θJA= 45°C/W，这是在一块厚度为 0.06 英寸环氧树脂 (FR4)

印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸²，2 盎司铜焊盘上测得的典型

值。

P0093-01

(2) 最大 R_θJC= 1.9°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。

An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,

intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.

English Data Sheet: SLPS633

12 3 4 5 6 7...14

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CSD18543Q3A 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CSD18543Q3AT	TI	功能相似	采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9.9mΩ、60V、N 沟道 NexFET™
CSD18534Q5A	TI	功能相似	60-V N-Channel NexFET Power MOSFETs

与CSD18543Q3A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CSD18543Q3AT	TI	获取价格	采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9.9mΩ、60V、N 沟道 NexFET™
CSD18563Q5A	TI	获取价格	60-V N-Channel NexFET Power MOSFETs
CSD18563Q5AT	TI	获取价格	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、6.8mΩ、60V、N 沟道 NexFET™
CSD19501KCS	TI	获取价格	CSD19501KCS, 80 V N-Channel NexFET Power MOSFETs
CSD19502Q5B	TI	获取价格	80 V N-Channel NexFETâ¢ Power MOSFET
CSD19502Q5BT	TI	获取价格	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.1mΩ、80V、N 沟道 NexFET™
CSD19503KCS	TI	获取价格	80 V N-Channel NexFET Power MOSFETs
CSD19505KCS	TI	获取价格	CSD19505KCS, 80 V N-Channel NexFET Power MOSFETs
CSD19505KTT	TI	获取价格	采用 D2PAK 封装的单路、3.1mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSF
CSD19505KTTT	TI	获取价格	采用 D2PAK 封装的单路、3.1mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSF

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