型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BSZ16DN25NS3 G | INFINEON |
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英飞凌 250V OptiMOS? 产品采用性能先进标杆技术,完全适合在 48V 系统、直 | |
BSZ16DN25NS3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor | |
BSZ16DN25NS3G_11 | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor | |
BSZ16DN25NS3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 10.9A I(D), 250V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, | |
BSZ180P03NS3 G | INFINEON |
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英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足 | |
BSZ180P03NS3E G | INFINEON |
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英飞凌高度创新型 OptiMOS? 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足 | |
BSZ180P03NS3EG | INFINEON |
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OptiMOS P3 Power-Transistor | |
BSZ180P03NS3EGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.018ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta | |
BSZ180P03NS3G | INFINEON |
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OptiMOSTM P3 Power-Transistor | |
BSZ180P03NS3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.018ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |