5秒后页面跳转
BSZ180P03NS3EGATMA1 PDF预览

BSZ180P03NS3EGATMA1

更新时间: 2024-11-05 14:48:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 620K
描述
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.018ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TSDSON-8

BSZ180P03NS3EGATMA1 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, S-PDSO-F5
针数:8Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
Factory Lead Time:26 weeks风险等级:2.24
Is Samacsys:N其他特性:ESD PROTECTED
雪崩能效等级(Eas):48 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (ID):9 A最大漏源导通电阻:0.018 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:S-PDSO-F5
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:5工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:SQUARE封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):158 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BSZ180P03NS3EGATMA1 数据手册

 浏览型号BSZ180P03NS3EGATMA1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSZ180P03NS3EGATMA1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSZ180P03NS3EGATMA1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSZ180P03NS3EGATMA1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BSZ180P03NS3EGATMA1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BSZ180P03NS3EGATMA1的Datasheet PDF文件第7页 
 & +ꢁ   $   " &     
"%&$!"#'! $  $ <C 2>ꢇ'>.;?6?@<>  
$ ><1A0@ & A: : .>E  
)
ꢀꢂ   
)0  
J
6NJ\]ZN[  
9H  
'
Z"  
6
R C:? 8=6 )ꢀꢁ 92 ? ? 6= :? ,ꢂ (   
9H"\[#$ZNd  
R * E2 =:7:65 2 44@B5:? 8 $     )# 7@B D2 B86D 2 AA=:42 D:@? C  
$
%+1&.  
9
E=%IH9HDC%0  
R    Uꢁ @A6B2 D:? 8 D6>A6B2 DEB6  
R ) =H   .ꢋ CA64:2 ==I CE:D65 7@B ? @D63 @@< 2 AA=:42 D:@? C  
R )3 ꢀ7B66ꢌ + @" , 4@>A=:2 ? D  
R  ,ꢅ AB@D64D65  
R 2 AA=:42 D:@? Cꢍ 3 2 DD6BI >2 ? 2 86>6? Dꢋ =@2 5 CG:D49:? 8  
R " 2 =@86? ꢀ7B66 2 44@B5:? 8 D@ #ꢄ       ꢀꢊ ꢀꢊ   
=JZTRWP  
  2.1 3>22  
 .9<42; 3>22  
CaYN  
@JLTJPN  
@JLTRWP  
[\[%Q^e  
LR_  
)0(E+C;  
LR_  
 ,1ꢆ   )ꢈ  ' ,ꢂ  ! E=%IH9HDC%0  
! .D6: A: >.@6;4?ꢈ 2 D ( W   Uꢁ  E? =6CC @D96BG:C6 CA64:7:65  
EJU]N  
@JZJVN\NZ  
BaVKXU 3XWMR\RXW[  
DWR\  
$
( 8   Uꢁ  
( 8   Uꢁ  
+1&.  
+*&(  
%1&(  
%)-0  
,0  
 @? D:? E@EC 5B2 :? 4EBB6? D  
6
9
( 6   Uꢁ *#  
( 8   Uꢁ +#  
$
)E=C65 5B2 :? 4EBB6? D  
9$]aY_R  
#
)
%
$ 9 ꢀꢊ    ' =H   "  
 F2 =2 ? 496 6? 6B8Iꢋ C:? 8=6 AE=C6  
!2 D6 C@EB46 F@=D2 86  
Z@  
J
6H  
=H  
`\`  
r*-  
,(  
( 6   Uꢁ  
)@G6B 5:CC:A2 D:@?  
K
( 6   Uꢁ *#  
*&)  
( W ( _`T  
ꢀꢇ  N     
4=2 CC  ꢕꢖ  <.ꢔ  
*.(  
( A6B2 D:? 8 2 ? 5 CD@B2 86 D6>A6B2 DEB6  
 ,ꢅ 4=2 CC  
q8  
$  ,ꢅ   ꢀꢒ    "  &  
,@=56B:? 8 D6>A6B2 DEB6  
Uꢁ  
--')-('-.  
#ꢄ  4=:>2 D:4 42 D68@BIꢌ  #' #ꢄ    ꢀꢆ  
  $ ꢀ,-ꢅ   2 ? 5 $  ,ꢅ    
+ 6Fꢗ  ꢗꢆ  
A2 86   
    ꢀꢆ  ꢀꢆ   

与BSZ180P03NS3EGATMA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSZ180P03NS3G INFINEON

获取价格

OptiMOSTM P3 Power-Transistor
BSZ180P03NS3GATMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.018ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
BSZ215C H INFINEON

获取价格

互补式功率 MOSFET - 在同一封装内的 n 通道和 p 通道功率 MOSFET -
BSZ22DN20NS3 G INFINEON

获取价格

英飞凌 200V OptiMOS? 产品采用性能先进标杆技术,适合在 48V 系统、直流-
BSZ22DN20NS3G INFINEON

获取价格

OptiMOSTM3 Power-Transistor
BSZ22DN20NS3GATMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 200V, 0.225ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BSZ240N12NS3 G INFINEON

获取价格

120V OptiMOS™ 系列提供业内最低导通电阻和最快开关性能,适用于各种应用,支持实
BSZ240N12NS3G INFINEON

获取价格

OptiMOSTM 3 Power-Transistor
BSZ240N12NS3GATMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 120V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSZ300N15NS5 INFINEON

获取价格

The 150V OptiMOS? achieves a reduction in R?DS(on)?of 40% and of 45% in figure of merit (F