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BSZ180P03NS3EGATMA1

更新时间： 2024-11-24 14:48:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 620K
描述
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.018ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TSDSON-8

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BSZ180P03NS3EGATMA1 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-F5
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：26 weeks风险等级：2.24
Is Samacsys：N其他特性：ESD PROTECTED
雪崩能效等级（Eas）：48 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：9 A最大漏源导通电阻：0.018 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-PDSO-F5
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：158 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSZ180P03NS3EGATMA1 数据手册

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