5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> BSZ900N15NS3GXT
BSZ900N15NS3GXT PDF预览

BSZ900N15NS3GXT

更新时间： 2024-11-05 13:05:59
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
9页 621K
描述
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 150V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TSDSON-8

阅读下载

中文翻译

获取价格

BSZ900N15NS3GXT 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5Reach Compliance Code：compliant
Factory Lead Time：26 weeks风险等级：5.76
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：30 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：150 V最大漏极电流 (ID)：13 A
最大漏源导通电阻：0.09 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-PDSO-N5元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：38 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：52 A
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSZ900N15NS3GXT 数据手册

 浏览型号BSZ900N15NS3GXT的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSZ900N15NS3GXT的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSZ900N15NS3GXT的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSZ900N15NS3GXT的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BSZ900N15NS3GXT的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BSZ900N15NS3GXT的Datasheet PDF文件第7页 
BSZ900N15NS3 G  
"%&$!"#TM3 Power-Transistor  
Product Summary  
Package  
V 9H  
)-(  
1(  
J
BM]WUZS  
R 9H"[Z#$YMc  
I 9  
Y"  
6
P ' ꢀ3 81>>5<ꢁ >? A=1< <5E5<  
P ꢂ G3 5<<5>C 71C5 3 81A75 G R 9H"[Z# @A? 4D3 C ꢃ  ( & ꢄ  
P .5AH <? F ? >ꢀA5B9BC1>3 5 R 9H"[Z#  
)+  
E=%IH9HDC%0  
P ꢅ ꢆ ꢇ Sꢈ ? @5A1C9>7 C5=@5A1CDA5  
P )2 ꢀ6A55 <514 @<1C9>7ꢉ + ? " , 3 ? =@<91>C  
P * D1<96954 13 3 ? A49>7 C? $ ꢂ ꢊ ꢂ ꢈ )# 6? A C1A75C 1@@<93 1C9? >  
P " 1<? 75>ꢀ6A55 13 3 ? A49>7 C? #ꢂ ꢈ ꢋ ꢅ ꢌ ꢍ ꢎ ꢀꢌ ꢀꢌ ꢅ  
Type  
Package  
Marking  
ꢔ ,0ꢎ ꢇ ꢇ ' ꢅ ꢆ ' ,ꢖ !  
E=%IH9HDC%0  
1((C)-C  
Maximum ratings, 1C T Vꢏ ꢌ ꢆ Sꢈ ꢁ D><5BB ? C85AF9B5 B@53 96954  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I 9  
T 8ꢏ ꢌ ꢆ Sꢈ  
ꢈ ? >C9>D? DB 4A19> 3 DAA5>C  
)+  
6
T 8ꢏ ꢅ ꢇ ꢇ Sꢈ  
0
-*  
)D<B54 4A19> 3 DAA5>C*#  
I 9$\`X^Q  
E 6H  
T 8ꢏ ꢌ ꢆ Sꢈ  
I 9ꢏ ꢅ ꢇ ꢐ ꢁ R =Hꢏ ꢌ ꢆ "  
ꢐ E1<1>3 85 5>5A7Hꢁ B9>7<5 @D<B5  
!1C5 B? DA3 5 E? <C175  
+(  
Y@  
J
V =H  
p*(  
P _[_  
T 8ꢏ ꢌ ꢆ Sꢈ  
)? F5A 49BB9@1C9? >  
+0  
K
Sꢈ  
T Vꢁ T ^_S  
( @5A1C9>7 1>4 BC? A175 C5=@5A1CDA5  
#ꢂ ꢈ 3 <9=1C93 3 1C57? AHꢉ ꢊ #' #ꢂ ꢈ ꢋ ꢒ ꢀꢅ  
ꢀꢆ ꢆ ꢑꢑꢑ ꢅ ꢆ ꢇ  
ꢆ ꢆ ꢓꢅ ꢆ ꢇ ꢓꢆ ꢋ  
)#$ ꢀ,-ꢊ ꢌ ꢇ 1>4 $ ꢂ ,ꢊ ꢌ ꢌ  
*
*# ꢊ 5E93 5 ? > ꢍ ꢇ == G ꢍ ꢇ == G ꢅ ꢑꢆ == 5@? GH )ꢈ ꢔ   + ꢍ F9C8 ꢋ 3 = ꢃ? >5 <1H5Aꢁ ꢕ ꢇ U = C893 ;ꢄ 3 ? @@5A 1A51 6? A 4A19>  
3 ? >>53 C9? >ꢑ )ꢈ ꢔ 9B E5AC93 1< 9> BC9<< 19Aꢑ  
+ 5Eꢑ ꢌ ꢑꢅ  
@175 ꢅ  
ꢌ ꢇ ꢅ ꢇ ꢀꢇ ꢅ ꢀꢌ ꢆ  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

与BSZ900N15NS3GXT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSZ900N20NS3 G INFINEON

获取价格

 		英飞凌 200V OptiMOS™ 产品采用性能先进标杆技术，适合在 48V 系统、直流-
BSZ900N20NS3G INFINEON

获取价格

 		OptiMOSTM3 Power-Transistor
BSZ900N20NS3GATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 15.2A I(D), 200V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
BT_SERIES NIDEC

获取价格

 		Miniature Toggle Switch
BT-0010SMG MARKIMICROWAVE

获取价格

 		MINIATURE SURFACE MOUNT BIAS TEE
BT-0010SMG-1 MARKIMICROWAVE

获取价格

 		MINIATURE SURFACE MOUNT BIAS TEE
BT-0010SMG-2 MARKIMICROWAVE

获取价格

 		MINIATURE SURFACE MOUNT BIAS TEE
BT-0014SMG MARKIMICROWAVE

获取价格

 		MINIATURE SURFACE-MOUNT BIAS-TEE
BT-0014SMG-1 MARKIMICROWAVE

获取价格

 		MINIATURE SURFACE-MOUNT BIAS-TEE
BT-0014SMG-2 MARKIMICROWAVE

获取价格

 		MINIATURE SURFACE-MOUNT BIAS-TEE

与BSZ900N15NS3GXT相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证