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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> BSZ900N15NS3GXT
BSZ900N15NS3GXT PDF预览

BSZ900N15NS3GXT

更新时间： 2024-11-20 13:05:59
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
9页 621K
描述
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 150V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TSDSON-8

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BSZ900N15NS3GXT 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5Reach Compliance Code：compliant
Factory Lead Time：26 weeks风险等级：5.76
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：30 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：150 V最大漏极电流 (ID)：13 A
最大漏源导通电阻：0.09 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-PDSO-N5元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：38 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：52 A
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSZ900N15NS3GXT 数据手册

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BSZ900N15NS3 G  
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Product Summary  
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与BSZ900N15NS3GXT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSZ900N20NS3 G INFINEON

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BSZ900N20NS3G INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 15.2A I(D), 200V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
BT_SERIES NIDEC

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