5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 26 weeks |
| 风险等级： | 0.87 | 雪崩能效等级（Eas）： | 80 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 120 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 37 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 37 A | 最大漏源导通电阻： | 0.024 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | S-PDSO-N5 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 66 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 148 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Powers | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BSZ240N12NS3G | INFINEON |
类似代替  |
OptiMOSTM 3 Power-Transistor |
|
| BSC240N12NS3G | INFINEON |
功能相似 |
OptiMOSTM3 Power-Transistor |
|
| BSC190N12NS3G | INFINEON |
功能相似 |
OptiMOS3 Power-Transistor |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSZ300N15NS5 | INFINEON |
获取价格 |
The 150V OptiMOS? achieves a reduction in R?DS(on)?of 40% and of 45% in figure of merit (F |
|
| BSZ340N08NS3 G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™ 系列是高效率解决方案的市场领导者，适用于发电（例如太阳能微逆变器）、电源 |
|
| BSZ340N08NS3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS3 Power-Transistor |
|
| BSZ340N08NS3GATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 80V, 0.034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| BSZ42DN25NS3 G | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌 250V OptiMOS™ 产品采用性能先进标杆技术，完全适合在 48V 系统、直 |
|
| BSZ42DN25NS3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOSTM3 Power-Transistor |
|
| BSZ440N10NS3 G | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM |
|
| BSZ440N10NS3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™3 Power-Transistor |
|
| BSZ440N10NS3GATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| BSZ440N10NS3GXT | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
