Datasheet > BSZ240N12NS3G

BSZ240N12NS3G

更新时间： 2024-11-24 09:00:39

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
9页	515K
描述
OptiMOSTM 3 Power-Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BSZ240N12NS3G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.2
雪崩能效等级（Eas）：	80 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	120 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	37 A	最大漏极电流 (ID)：	37 A
最大漏源导通电阻：	0.024 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	S-PDSO-N5	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	5
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	66 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	148 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BSZ240N12NS3G 数据手册

Je]R

ꢀ % *ꢁ ꢂ ꢃ ! ꢄ ꢁ ! % ꢅ ꢆ

"%&$!"#^B<ꢅ # ;B 1 =ꢇ& =-: >5>?;=

# =;0@/? % @9 9 -=D

7MI[\YMZ

)

)*(

Q ) AD:>:J65 7@B 54ꢀ54 4@? F6BC:@?

Q ( ꢀ492 ? ? 6=ꢁ ? @B>2 = =6F6=

9I"\[#$ZNd

Q ꢂ H46==6? D 82 D6 492 B86 H ' _9I"\[#AB@5E4D ꢃ ) ' ꢄ

Q & @G @? ꢀB6C:CD2 ? 46 ' _9I"\[#

Q ꢅ ꢆ ꢇ Tꢈ @A6B2 D:? 8 D6>A6B2 DEB6

Q *3 ꢀ7B66 =62 5 A=2 D:? 8ꢉ , @" - 4@>A=:2 ? D

Q + E2 =:7:65 2 44@B5:? 8 D@ $ ꢂ ꢊ ꢂ ꢈ ^)#7@B D2 B86D 2 AA=:42 D:@?

Q " 2 =@86? ꢀ7B66 2 44@B5:? 8 D@ #ꢂ ꢈ ꢋ ꢅ ꢌ ꢍ ꢎ ꢀꢌ ꢀꢌ ꢅ

F=%JI9IED%0

B`XM

?IKSIOM

<IYSQVO

ꢕ -1ꢌ ꢍ ꢇ ( ꢅ ꢌ ( -ꢔ !

F=%JI9IED%0

*,(D)*D

-C59 @9 =-?5: 3>ꢈ 2 D ( _Wꢏ ꢌ ꢆ Tꢈ ꢁ E? =6CC @D96BG:C6 CA64:7:65

DIT\M

?IYIUM[MY

A`UJWT 4WVLQ[QWVZ

CVQ[

( ₈ꢏ ꢌ ꢆ Tꢈ

ꢈ @? D:? E@EC 5B2 :? 4EBB6? D

( ₈ꢏ ꢅ ꢇ ꢇ Tꢈ

*E=C65 5B2 :? 4EBB6? D^*#

( ₈ꢏ ꢌ ꢆ Tꢈ

),0

9$]aY_R

)

$ ₉ꢏ ꢌ ꢇ ꢐ ꢁ ' _=Iꢏ ꢌ ꢆ "

ꢐ F2 =2 ? 496 6? 6B8Iꢁ C:? 8=6 AE=C6

!2 D6 C@EB46 F@=D2 86

`\`

q*(

( ₈ꢏ ꢌ ꢆ Tꢈ

*@G6B 5:CC:A2 D:@?

Tꢈ

( _Wꢁ ( _{_`T}

) A6B2 D:? 8 2 ? 5 CD@B2 86 D6>A6B2 DEB6

#ꢂ ꢈ 4=:>2 D:4 42 D68@BIꢉ ꢊ #( #ꢂ ꢈ ꢋ ꢒ ꢀꢅ

ꢀꢆ ꢆ ꢑꢑꢑ ꢅ ꢆ ꢇ

ꢆ ꢆ ꢓꢅ ꢆ ꢇ ꢓꢆ ꢋ

^)#$ ꢀ-.ꢊ ꢌ ꢇ 2 ? 5 $ ꢂ -ꢊ ꢌ ꢌ

^*#C66 7:8EB6 ꢔ

, 6Fꢑ ꢌ ꢑꢇ

A2 86 ꢅ

ꢌ ꢇ ꢅ ꢇ ꢀꢇ ꢖ ꢀꢇ ꢒ

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

BSZ240N12NS3G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BSZ240N12NS3GATMA1	INFINEON	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 120V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC240N12NS3G	INFINEON	功能相似	OptiMOSTM3 Power-Transistor
BSC190N12NS3G	INFINEON	功能相似	OptiMOS3 Power-Transistor

与BSZ240N12NS3G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSZ240N12NS3GATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 120V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSZ300N15NS5	INFINEON	获取价格	The 150V OptiMOS? achieves a reduction in R?DS(on)?of 40% and of 45% in figure of merit (F
BSZ340N08NS3 G	INFINEON	获取价格	OptiMOS™ 系列是高效率解决方案的市场领导者，适用于发电（例如太阳能微逆变器）、电源
BSZ340N08NS3G	INFINEON	获取价格	OptiMOS3 Power-Transistor
BSZ340N08NS3GATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 80V, 0.034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
BSZ42DN25NS3 G	INFINEON	获取价格	英飞凌 250V OptiMOS™ 产品采用性能先进标杆技术，完全适合在 48V 系统、直
BSZ42DN25NS3G	INFINEON	获取价格	OptiMOSTM3 Power-Transistor
BSZ440N10NS3 G	INFINEON	获取价格	英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM
BSZ440N10NS3G	INFINEON	获取价格	OptiMOS™3 Power-Transistor
BSZ440N10NS3GATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M

与BSZ240N12NS3G相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

38
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

30
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

58
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

54

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BSZ240N12NS3G

BSZ240N12NS3G 技术参数

BSZ240N12NS3G 数据手册

BSZ240N12NS3G 替代型号

与BSZ240N12NS3G相关器件

与BSZ240N12NS3G相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BSZ240N12NS3G

BSZ240N12NS3G 技术参数

BSZ240N12NS3G 数据手册

BSZ240N12NS3G 替代型号

与BSZ240N12NS3G相关器件

与BSZ240N12NS3G相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？