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BSZ440N10NS3 G

更新时间： 2024-11-06 11:15:27

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英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
12页	1996K
描述
英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解决方案。与下一代出色技术相比，该系列在 R Ds（on）和 FOM（品质因数）方面均降低了30％。

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BSZ440N10NS3 G 数据手册

MOSFET

MetalꢀOxideꢀSemiconductorꢀFieldꢀEffectꢀTransistor

OptiMOS^TM

OptiMOS™3ꢀPower-Transistor,ꢀ100ꢀV

BSZ440N10NS3ꢀG

DataꢀSheet

Rev.ꢀ2.1

Final

PowerꢀManagementꢀ&ꢀMultimarket

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSZ440N10NS3G	INFINEON	获取价格	OptiMOS™3 Power-Transistor
BSZ440N10NS3GATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
BSZ440N10NS3GXT	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
BSZ520N15NS3 G	INFINEON	获取价格	与次优竞品相比，150V OptiMOS? R DS(on) 降低 40%，品质因数 (F
BSZ520N15NS3G	INFINEON	获取价格	OptiMOSTM3 Power-Transistor
BSZ520N15NS3GXT	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 150V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSZ900N15NS3 G	INFINEON	获取价格	与次优竞品相比，150V OptiMOS™ R DS(on) 降低 40%，品质因数 (F
BSZ900N15NS3G	INFINEON	获取价格	OptiMOSTM3 Power-Transistor
BSZ900N15NS3GXT	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 150V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BSZ900N20NS3 G	INFINEON	获取价格	英飞凌 200V OptiMOS™ 产品采用性能先进标杆技术，适合在 48V 系统、直流-