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| 英飞凌 - INFINEON |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 10页 | 1747K |  |
| 描述 | ||
| The 150V OptiMOS? achieves a reduction in R?DS(on)?of 40% and of 45% in figure of merit (FOM) compared to the next best competitor. This drastic improvement opens new possibilities like moving from leaded packages to SMD packages or effectively replacing two old parts with one OptiMOS? part. | ||
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSZ340N08NS3 G | INFINEON |
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OptiMOS™ 系列是高效率解决方案的市场领导者，适用于发电（例如太阳能微逆变器）、电源 |
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| BSZ340N08NS3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |
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| BSZ340N08NS3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 80V, 0.034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BSZ42DN25NS3 G | INFINEON |
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英飞凌 250V OptiMOS™ 产品采用性能先进标杆技术，完全适合在 48V 系统、直 |
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| BSZ42DN25NS3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor |
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| BSZ440N10NS3 G | INFINEON |
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英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM |
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| BSZ440N10NS3G | INFINEON |
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OptiMOS™3 Power-Transistor |
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| BSZ440N10NS3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| BSZ440N10NS3GXT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| BSZ520N15NS3 G | INFINEON |
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与次优竞品相比，150V OptiMOS? R DS(on) 降低 40%，品质因数 (F |
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