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BSZ440N10NS3G

更新时间: 2024-11-05 06:44:27
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 173K
描述
OptiMOS™3 Power-Transistor

BSZ440N10NS3G 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:GREEN, PLASTIC, TSDSON-8
针数:8Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.68
Is Samacsys:N雪崩能效等级(Eas):17 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (Abs) (ID):18 A
最大漏极电流 (ID):5.3 A最大漏源导通电阻:0.044 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:S-PDSO-N5
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:5
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:SQUARE
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):29 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):72 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:NO LEAD
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BSZ440N10NS3G 数据手册

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BSZ440N10NS3 G  
Product Summary  
OptiMOS™3 Power-Transistor  
V DS  
100  
44  
V
Features  
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
• Very low gate charge for high frequency applications  
• Optimized for dc-dc conversion  
18  
• N-channel, normal level  
PG-TSDSON-8  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• 150 °C operating temperature  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
• Qualified according to JEDEC1) for target application  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
Package  
Marking  
BSZ440N10NS3 G  
PG-TDSON-8  
440N10N  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
Continuous drain current  
18  
11  
A
T C=100 °C  
T A=25 °C,  
5.3  
R
thJA=50 K/W2)  
Pulsed drain current3)  
I D,pulse  
E AS  
T C=25 °C  
72  
17  
I D=12 A, R GS=25 Ω  
T C=25 °C  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
mJ  
V
V GS  
±20  
P tot  
Power dissipation  
29  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 150  
55/150/56  
Rev. 2.0  
page 1  
2010-04-26  

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