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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> BSZ520N15NS3GXT
BSZ520N15NS3GXT PDF预览

BSZ520N15NS3GXT

更新时间： 2024-11-05 13:05:59
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 621K
描述
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 150V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TSDSON-8

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BSZ520N15NS3GXT 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5
Reach Compliance Code：compliantFactory Lead Time：26 weeks
风险等级：5.68雪崩能效等级（Eas）：60 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：150 V最大漏极电流 (ID)：21 A
最大漏源导通电阻：0.052 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-PDSO-N5元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：84 A
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSZ520N15NS3GXT 数据手册

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BSZ520N15NS3 G  
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Product Summary  
Features  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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