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BSZ900N15NS3 G

更新时间： 2024-11-06 11:13:23

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英飞凌 - INFINEON		/
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9页	322K
描述
与次优竞品相比，150V OptiMOS™ R DS(on) 降低 40%，品质因数 (FOM) 降低 45%。这一显著改进创造了全新的可能性，如从引脚封装转变为 SMD 封装或使用一个 OptiMOS™ 部件有效替换两个原有部件。

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BSZ900N15NS3 G 数据手册

BSZ900N15NS3 G

OptiMOS^TM3 Power-Transistor

Product Summary

Package

V _DS

150

Marking

R _DS(on),max

I _D

mΩ

• N-channel, normal level

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Very low on-resistance R _DS(on)

PG-TSDSON-8

• 150 °C operating temperature

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target application

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

Type

Package

Marking

BSZ900N15NS3 G

PG-TSDSON-8

900N15N

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _C=25 °C

Continuous drain current

T _C=100 °C

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E _AS

T _C=25 °C

I _D=10 A, R _GS=25 Ω

Avalanche energy, single pulse

Gate source voltage

V _GS

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... 150

55/150/56

¹⁾J-STD20 and JESD22

Rev. 2.1

page 1

2011-05-16

12 3 4 5 6 7...9

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