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BSZ520N15NS3G

更新时间： 2024-11-05 09:00:39

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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9页	621K
描述
OptiMOSTM3 Power-Transistor

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BSZ520N15NS3G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	GREEN, PLASTIC, TSDSON-8
针数：	8	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.68
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	60 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	150 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	21 A
最大漏极电流 (ID)：	21 A	最大漏源导通电阻：	0.052 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	S-PDSO-N5
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	5
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	57 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	84 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BSZ520N15NS3G 数据手册

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BSZ520N15NS3 G

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Product Summary

Features

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BSZ520N15NS3G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BSZ900N15NS3G	INFINEON	完全替代	OptiMOSTM3 Power-Transistor
BSZ160N10NS3G	INFINEON	完全替代	OptiMOS3 Power-Transistor

与BSZ520N15NS3G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSZ520N15NS3GXT	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 150V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSZ900N15NS3 G	INFINEON	获取价格	与次优竞品相比，150V OptiMOS™ R DS(on) 降低 40%，品质因数 (F
BSZ900N15NS3G	INFINEON	获取价格	OptiMOSTM3 Power-Transistor
BSZ900N15NS3GXT	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 150V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BSZ900N20NS3 G	INFINEON	获取价格	英飞凌 200V OptiMOS™ 产品采用性能先进标杆技术，适合在 48V 系统、直流-
BSZ900N20NS3G	INFINEON	获取价格	OptiMOSTM3 Power-Transistor
BSZ900N20NS3GATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 15.2A I(D), 200V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
BT_SERIES	NIDEC	获取价格	Miniature Toggle Switch
BT-0010SMG	MARKIMICROWAVE	获取价格	MINIATURE SURFACE MOUNT BIAS TEE
BT-0010SMG-1	MARKIMICROWAVE	获取价格	MINIATURE SURFACE MOUNT BIAS TEE

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