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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.3 |
| Samacsys Description： | MOSFET N-Ch 120V 44A TDSON-8 OptiMOS 3 | 雪崩能效等级（Eas）： | 60 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 120 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 44 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 8.6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.019 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-F5 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 69 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 176 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BSZ240N12NS3GATMA1 | INFINEON |
功能相似  |
Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 120V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSZ240N12NS3G | INFINEON |
功能相似 |
OptiMOSTM 3 Power-Transistor |
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| BSC240N12NS3G | INFINEON |
功能相似 |
OptiMOSTM3 Power-Transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSC190N12NS3GATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8.6A I(D), 120V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| BSC190N12NS3GXT | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
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| BSC190N15NS3 G | INFINEON |
获取价格 |
与次优竞品相比，150V OptiMOS™ R DS(on) 降低 40%，品质因数 (F |
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| BSC190N15NS3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS3 Power-Transistor |
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| BSC190N15NS3GATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 150V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC196N10NS G | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌的 100V OptiMOS? 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM |
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| BSC196N10NSG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™2 Power-Transistor |
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| BSC196N10NSGATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 100V, 0.0196ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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| BSC200P03LSG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™-P Power-Transistor |
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| BSC200P03LSGAUMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9.9A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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