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BSC190N15NS3GATMA1

更新时间： 2024-11-13 14:48:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 568K
描述
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 150V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8

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BSC190N15NS3GATMA1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：26 weeks
风险等级：1.66雪崩能效等级（Eas）：170 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：150 V最大漏极电流 (ID)：50 A
最大漏源导通电阻：0.019 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：125 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSC190N15NS3GATMA1 数据手册

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BSC190N15NS3GATMA1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDMS86200 FAIRCHILD

功能相似

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