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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | QFN |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, POWER 56, 8 PIN | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 3.83 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 220 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 150 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 52 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 9.6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.018 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | MO-240AA |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F5 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 104 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 100 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BSC190N15NS3GATMA1 | INFINEON |
功能相似  |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 150V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDMS86200DC | FAIRCHILD |
获取价格 |
DUAL COOL⢠PACKAGE POWERTRENCH® MOSFETs |
|
| FDMS86200DC | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道双 CoolTM 56 屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 150V |
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| FDMS86201 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 120 V, 35 A, 1 |
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| FDMS86201 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 120V，49A，11.5mΩ |
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| FDMS86202 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，120V，64A，7.2mΩ |
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| FDMS86202ET120 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，120V，102A，7.2mΩ |
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| FDMS8622 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power Trench® MOSFET 100 V, 16.5 A |
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| FDMS8622 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，Power Trench® MOSFET，100V，16.5A，56mΩ |
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| FDMS86250 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 150 V, 20 A, 2 |
|
| FDMS86250 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，Power Trench® MOSFET，150V，30A，25mΩ |
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