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BSC265N10LSFGATMA1 PDF预览

BSC265N10LSFGATMA1

更新时间: 2024-11-24 14:48:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON ATM异步传输模式PC开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 655K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.0265ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8

BSC265N10LSFGATMA1 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数:8Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:26 weeks
风险等级:1.64Samacsys Confidence:4
Samacsys Status:ReleasedSamacsys PartID:978933
Samacsys Pin Count:8Samacsys Part Category:MOSFET (N-Channel)
Samacsys Package Category:OtherSamacsys Footprint Name:PG-TDSON-8_1
Samacsys Released Date:2019-07-08 15:24:32Is Samacsys:N
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级(Eas):68 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (ID):6.5 A
最大漏源导通电阻:0.0265 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-F5JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:5工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):160 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BSC265N10LSFGATMA1 数据手册

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