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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSC205N10LSG | INFINEON |
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OptiMOS™2 Power-Transistor |
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| BSC220N20NSFD | INFINEON |
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Infineon's OptiMOS™ MOSFETs in SuperSO8 packa |
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| BSC22DN20NS3 G | INFINEON |
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英飞凌 200V OptiMOS™ 产品采用性能先进标杆技术，适合在 48V 系统、直流- |
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| BSC22DN20NS3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor |
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| BSC22DN20NS3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 200V, 0.225ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BSC240N12NS3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor |
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| BSC240N12NS3GXT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 120V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC252N10NSF G | INFINEON |
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英飞凌的 100V OptiMOS? 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM |
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| BSC252N10NSFG | INFINEON |
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OptiMOS™2 Power-Transistor |
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| BSC252N10NSFGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.0252ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
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